GaN/InN核壳纳米线制备及应用研究

发布时间：2021-08-02 09:42

　　核壳纳米线是由两种材料复合而成的一种核壳异质结构,这种独特的结构结合了核壳两种材料的特性,具有独特的性能。GaN和InN都属于III-V族半导体材料,将GaN和InN复合成核壳纳米线异质结构,通过改变核壳比例对材料的电子结构和光学性能进行调控,可以满足光电器件设计的灵活性,拓宽纳米材料在光电领域的应用。本文从实验制备和理论计算两方面研究了 GaN/InN核壳纳米线。首先,利用化学气相沉积法（CVD）两步制备得到GaN/InN核壳纳米线异质结构。实验从选择不同In前驱体及生长工艺条件研究GaN/InN核壳纳米线异质结构的制备,通过分析这种异质结构的生长机理得出:第一步GaN核的生长遵循气-液-固（VLS）机制;第二步InN壳的生长遵循气固（VS）机制。GaN纳米线的光致发光（PL）谱表明:在362nm（3.42eV）有一紫外发射峰,这主要归因于带边发射;GaN/InN核壳纳米线异质结构的光致发光（PL）谱表明:在404nm（3.06eV）有一紫光发射峰,相对于GaN纳米线,其发光峰红移,从紫外光进入可见光频段,这归因于带隙的减小。然后,基于第一性原理研究了 GaN/InN核壳纳米线异质结... 

【文章来源】：西安理工大学陕西省

【文章页数】：68 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

电子天平(型号：HX-1002)

图 2-2 离子溅射仪(型号：JFC-1600)Fig.2-2 Ion sputtering instrument (JFC-1600)金属离子溅射到基底上，在基底表面上射时间和溅射电流来控制薄膜的厚度，射源为 Pt，从而在 Si 衬底上形成一层

图 2-2 离子溅射仪(型号：JFC-1600)Fig.2-2 Ion sputtering instrument (JFC-1600)以将金属离子溅射到基底上，在基底表面上形成置溅射时间和溅射电流来控制薄膜的厚度，在本s，溅射源为 Pt，从而在 Si 衬底上形成一层分布

【参考文献】：
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本文编号：3317342