新型Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒的制备及气敏性能研究
发布时间：2021-08-04 04:33
随着科学技术的快速发展,低维金属氧化物半导体在纳米光电子器件中有很大的应用前景。近年来,新型超晶格纳米材料的设计、合成、表征以及性能研究引起大家广泛的关注。本论文基于反应扩散合成出Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒,以Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒为研究对象,针对高纯、可控合成、精细表征及气敏性能等几个方面进行了相应的研究:（1）在氧化锌纳米颗粒表面涂覆一层Zn-Sn-O前驱体,在非真空环境氛围中经过退火处理合成Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒。相同退火时间条件下,700℃、800℃和900℃退火温度下可以得到三种不同状态Zn-Sn-O纳米颗粒。三组材料都含有超晶格层状结构,随着退火温度的升高,Zn-Sn-O前驱体包裹层厚度减小,在900℃时,Zn-Sn-O前驱体消失。（2）利用多种先进分析表征技术对Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒的结构和物性进行精细表征。通过球差透射电子显微镜观察到Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒中的Sn-O层。通过拉曼测试发现Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒两个新的振动峰,分别位于549cm-1和673cm-1。光致发光实验显示Zn-Sn-O超...
【文章来源】：西南交通大学四川省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：70 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图1-1两种超晶格结构：(a)自然超晶格，原子自组装形成[11-12]
3m合成导体纳米材料被认为是制作下一代光电子器件的首选材料，在到广泛研究[14-15]。在智能纳米结构材料的发展中，研究者必须了解，以便于对材料进行新颖的设计和结构的可控性。某些物性质，可能强烈依赖于纳米材料的形态和结构的变化，因此具米材料可以提供额外的应用。尽管超晶格结构被广泛研究，但高真空设备，且生产效率不高。此外，对复合材料和每一层组难的，超晶格界面的晶格失配会引起结构缺陷[16]。大多数超晶长方法人工调控制造的，如 MBE、PLD 和 MOCVD。因此，急点的新颖合成方法，以促进超晶格纳米材料的快速发展)m超晶格纳米线可控制备极大吸引了研究者。
西南交通大学硕士研究生学位论文 下热蒸发，然后通过改变气流量、气压、温度等参数合成 InM米线，如图 1-2 所示。，杨培东课题组基于固态扩散机理，可控合成了 InMO3(ZnO)m使用化学气相沉积法制备出生长取向为[002]的 ZnO 纳米线，表面溅射一层 M(M=In，Ga，Fe)纳米颗粒，最后在温度为 90氛围环境中退火 12 h，获得 InMO3(ZnO)m超晶格纳米材料，如图
本文编号：3321011
【文章来源】：西南交通大学四川省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：70 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图1-1两种超晶格结构：(a)自然超晶格，原子自组装形成[11-12]
3m合成导体纳米材料被认为是制作下一代光电子器件的首选材料，在到广泛研究[14-15]。在智能纳米结构材料的发展中，研究者必须了解，以便于对材料进行新颖的设计和结构的可控性。某些物性质，可能强烈依赖于纳米材料的形态和结构的变化，因此具米材料可以提供额外的应用。尽管超晶格结构被广泛研究，但高真空设备，且生产效率不高。此外，对复合材料和每一层组难的，超晶格界面的晶格失配会引起结构缺陷[16]。大多数超晶长方法人工调控制造的，如 MBE、PLD 和 MOCVD。因此，急点的新颖合成方法，以促进超晶格纳米材料的快速发展)m超晶格纳米线可控制备极大吸引了研究者。
西南交通大学硕士研究生学位论文 下热蒸发，然后通过改变气流量、气压、温度等参数合成 InM米线，如图 1-2 所示。，杨培东课题组基于固态扩散机理，可控合成了 InMO3(ZnO)m使用化学气相沉积法制备出生长取向为[002]的 ZnO 纳米线，表面溅射一层 M(M=In，Ga，Fe)纳米颗粒，最后在温度为 90氛围环境中退火 12 h，获得 InMO3(ZnO)m超晶格纳米材料，如图
本文编号：3321011
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