真空压力浸渗SiC/Al复合材料工艺过程数值模拟研究
发布时间:2021-08-10 14:11
高陶瓷含量SiC/Al复合材料具有高比强度、高比刚度、高热导率、低热膨胀系数以及低密度等优点,是航空航天领域用大功率电子器件用理想的管壳材料。熔体真空压力浸渗多孔陶瓷是制备SiC/Al复合材料的重要工艺手段,但所制备的SiC/Al复合材料易出现孔隙和分层开裂等缺陷。本文基于铸造仿真模拟软件ProCAST,对真空压力浸渗工艺的全程进行数值模拟研究,以期深入分析复合材料缺陷产生机制,优化复合材料浸渗工艺,制备出合格的SiC/Al复合材料。主要研究成果如下。掌握了熔体在复杂三维连通微孔内浸渗充型过程和凝固冷却过程的数值模拟技术。采用ProCAST的Inverse模块实现了数值模拟模型中界面换热系数的优化,提高了模拟的精度;突破了基于多孔陶瓷真实孔隙特征建模技术,准确再现了三维连通复杂孔隙内熔体充型过程流动停顿的特殊现象;通过采用简化微孔模型建模技术,获得了微米孔隙中熔体充型流动中压力损失数据,以及熔体凝固冷却过程中残余应力的分布。准确预报了复合材料板内缩松位置和残余应力分布,科学解释了复合材料内孔隙和分层开裂的形成机制。通过对真空气压浸渗过程的模拟发现,熔体在复杂三维连通微米孔隙中充型流动时...
【文章来源】:北京理工大学北京市 211工程院校 985工程院校
【文章页数】:100 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
DIP型封装结构示意图
固态金是过成态成型法是以金属或成形和烧结图 1.2 SiCP/或用金属粉结,制造金/Al 复合材料粉末(或金金属材料、料主要制备属粉末与非复合以及各备方法非金属粉末各种类型制末的制品
以金属或形和烧结Cs 的传统或用金属粉结,制造金统工艺。图粉末(或金金属材料、图 1.3 是粉属粉末与非复合以及各粉末冶金的非金属粉末各种类型制的流程图。末制
【参考文献】:
期刊论文
[1]高体积分数SiC/Al电子封装材料的制备及性能研究[J]. 王涛. 硅酸盐通报. 2013(03)
[2]微电子封装材料的最新进展[J]. 陈军君,傅岳鹏,田民波. 半导体技术. 2008(03)
[3]新型高硅铝合金电子封装复合材料的研究进展[J]. 徐高磊,李明茂. 铝加工. 2007(06)
[4]Al-Cu合金挤压浸渗多孔网络陶瓷计算机模拟[J]. 陈维平,黄丹,梁泽钦,何曾先. 特种铸造及有色合金. 2007(08)
[5]电子封装用高硅铝合金热膨胀性能的研究[J]. 张伟,杨伏良,甘卫平,刘泓. 材料导报. 2006(S1)
[6]金属基复合材料中热残余应力的分析方法及其对复合材料组织和力学性能的影响[J]. 黄斌,杨延清. 材料导报. 2006(S1)
[7]SiCp/Al复合材料的SPS烧结及热物理性能研究[J]. 顾晓峰,张联盟,杨梅君,张东明. 无机材料学报. 2006(06)
[8]电子封装中的铝碳化硅及其应用[J]. 龙乐. 电子与封装. 2006(06)
[9]新型电子封装材料的研究现状及展望[J]. 郑小红,胡明,周国柱. 佳木斯大学学报(自然科学版). 2005(03)
[10]小批量铝碳化硅T/R组件封装外壳的研制[J]. 熊德赣,刘希从,堵永国,杨盛良,李益民,唐荣. 电子与封装. 2004(04)
硕士论文
[1]A356/H13钢热力耦合界面换热系数的稳态法测量研究[D]. 宋刚.重庆大学 2012
[2]粉末冶金法制备β-SiCp/Al电子封装材料工艺与性能研究[D]. 于庆芬.西安科技大学 2010
[3]压力浸渗制备Al2O3p/ZL104复合材料及有限元模拟[D]. 钟娟.哈尔滨工程大学 2006
[4]电子封装SiCp/Al 复合材料性能及影响因素研究[D]. 王磊.南昌航空工业学院 2006
[5]气压浸渗法制备Al/SiCp电子封装材料的研究[D]. 闫庆.西北工业大学 2006
本文编号:3334207
【文章来源】:北京理工大学北京市 211工程院校 985工程院校
【文章页数】:100 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
DIP型封装结构示意图
固态金是过成态成型法是以金属或成形和烧结图 1.2 SiCP/或用金属粉结,制造金/Al 复合材料粉末(或金金属材料、料主要制备属粉末与非复合以及各备方法非金属粉末各种类型制末的制品
以金属或形和烧结Cs 的传统或用金属粉结,制造金统工艺。图粉末(或金金属材料、图 1.3 是粉属粉末与非复合以及各粉末冶金的非金属粉末各种类型制的流程图。末制
【参考文献】:
期刊论文
[1]高体积分数SiC/Al电子封装材料的制备及性能研究[J]. 王涛. 硅酸盐通报. 2013(03)
[2]微电子封装材料的最新进展[J]. 陈军君,傅岳鹏,田民波. 半导体技术. 2008(03)
[3]新型高硅铝合金电子封装复合材料的研究进展[J]. 徐高磊,李明茂. 铝加工. 2007(06)
[4]Al-Cu合金挤压浸渗多孔网络陶瓷计算机模拟[J]. 陈维平,黄丹,梁泽钦,何曾先. 特种铸造及有色合金. 2007(08)
[5]电子封装用高硅铝合金热膨胀性能的研究[J]. 张伟,杨伏良,甘卫平,刘泓. 材料导报. 2006(S1)
[6]金属基复合材料中热残余应力的分析方法及其对复合材料组织和力学性能的影响[J]. 黄斌,杨延清. 材料导报. 2006(S1)
[7]SiCp/Al复合材料的SPS烧结及热物理性能研究[J]. 顾晓峰,张联盟,杨梅君,张东明. 无机材料学报. 2006(06)
[8]电子封装中的铝碳化硅及其应用[J]. 龙乐. 电子与封装. 2006(06)
[9]新型电子封装材料的研究现状及展望[J]. 郑小红,胡明,周国柱. 佳木斯大学学报(自然科学版). 2005(03)
[10]小批量铝碳化硅T/R组件封装外壳的研制[J]. 熊德赣,刘希从,堵永国,杨盛良,李益民,唐荣. 电子与封装. 2004(04)
硕士论文
[1]A356/H13钢热力耦合界面换热系数的稳态法测量研究[D]. 宋刚.重庆大学 2012
[2]粉末冶金法制备β-SiCp/Al电子封装材料工艺与性能研究[D]. 于庆芬.西安科技大学 2010
[3]压力浸渗制备Al2O3p/ZL104复合材料及有限元模拟[D]. 钟娟.哈尔滨工程大学 2006
[4]电子封装SiCp/Al 复合材料性能及影响因素研究[D]. 王磊.南昌航空工业学院 2006
[5]气压浸渗法制备Al/SiCp电子封装材料的研究[D]. 闫庆.西北工业大学 2006
本文编号:3334207
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