核—壳结构铜/银复合粉制备及其在电子浆料中的应用
发布时间:2021-08-22 09:04
目前,从在微电子工业等领域中应用的电子浆料来看,其导电相主要是银粉,需要消耗大量贵金属银,而且银浆导电膜在使用的过程中还有可能会发生银的迁移现象,使电路板短路而导致设备出现故障。核-壳结构的铜/银复合粉作为一种新型的导电复合粉体,兼得两者的优点,互补缺点,是一种可以使用在电子浆料、导电油墨以及催化剂等相关领域的银粉的理想替代材料。因此,研究制备核-壳结构的铜/银复合粉对开发具有高附加值、高质量的微电子工业用导体浆料提供理论依据,为导体浆料产品节约贵金属,降低成本具有较大的使用价值及意义。本文采用化学还原的方法制备了具有高分散性和高抗氧化性的,能够适用于低温导体浆料的铜/银复合粉体,研究了铜粉的前处理工艺,分散剂的种类,镀液的温度和PH值以及镀银前超声搅拌时间等对铜/银复合粉性能的影响;以制备的铜/银复合粉为导电相,环氧树脂和酚醛树脂为主要原料粘接剂,制备了低温复合聚合物导体浆料。研究了铜/银复合粉含量,环氧树脂和酚醛树脂的质量比,以及固化时间和固化温度对浆料导电性能的影响。使用SEM、XRD、TG、EDS等分析测试手段对不同银含量的铜/银复合粉的结构和性能进行了分析比较,并对不同银含量...
【文章来源】:昆明理工大学云南省
【文章页数】:88 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图2.1原料铜粉的SEM图??
第二擊实验材料与方法??定指标,筚位以g/cm3表示。??本实验使用的是一种较为简易的松装密度测试装罝,其示意图如图2.6所示。??具体测量方法如下:取适量的铜/银复合粉,使其依靠自身的重量,逋过图2.6中??漏斗的上部自由落下流入量杯中,待粉体装满量杯且有溢出现象时,停止操作??然后取出量杯放在水乎桌面上,使用刮板沿量杯口平行刮过,再在天平上称取其??质_,并记录。通过公式(2-5)可算出铜/银复合粉的松装密度:??p?=?/v?(2-5)??式中,p为铜/银复合粉的松装密度,g/cm3;?rm为量杯装满粉体后的质量,g;??m2为空量杯的质量,g;?v为量杯的体积,cm3。??ifi??图2.6松装密度测试仪示意图:1、漏斗;2、量杯??Fig2.6?Loose?density?tester?schematic:?1.?funnel;?2.measuring?cup??2.4.2铜/银复合粉导体浆料的表征??本实验通过对铜/银复合粉导体浆料的细度、粘度以及导电膜的阻值、附着力??表面形貌等进行测定,从而对铜/银复合粉导体浆料的综合性能进行表征。??(1)
昆明理工大学硕士学位论文???下每条线的阻值。使用刮板将导体浆料通过丝网印刷成下图2.7所示的1?mmxlOO??mm长的迷宫形图形。导电膜阻值的测定使用的是SD2002型数字欧姆表。??Bii??图2.7迷宫图形??Fig2.7?Maze?pattern??用SD2002型数字欧姆表测出常温(20°C?25°C)电阻值,再由测厚仪测烘??于膜层厚度。迷宫型图形由100个1mm2的方格组成,相当于100?口,假设测定??阻值为R,那么方阻用/"〇〇x25j,其中H为测定的厚度(任找五点取平均??值)。??(4)
本文编号:3357447
【文章来源】:昆明理工大学云南省
【文章页数】:88 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图2.1原料铜粉的SEM图??
第二擊实验材料与方法??定指标,筚位以g/cm3表示。??本实验使用的是一种较为简易的松装密度测试装罝,其示意图如图2.6所示。??具体测量方法如下:取适量的铜/银复合粉,使其依靠自身的重量,逋过图2.6中??漏斗的上部自由落下流入量杯中,待粉体装满量杯且有溢出现象时,停止操作??然后取出量杯放在水乎桌面上,使用刮板沿量杯口平行刮过,再在天平上称取其??质_,并记录。通过公式(2-5)可算出铜/银复合粉的松装密度:??p?=?/v?(2-5)??式中,p为铜/银复合粉的松装密度,g/cm3;?rm为量杯装满粉体后的质量,g;??m2为空量杯的质量,g;?v为量杯的体积,cm3。??ifi??图2.6松装密度测试仪示意图:1、漏斗;2、量杯??Fig2.6?Loose?density?tester?schematic:?1.?funnel;?2.measuring?cup??2.4.2铜/银复合粉导体浆料的表征??本实验通过对铜/银复合粉导体浆料的细度、粘度以及导电膜的阻值、附着力??表面形貌等进行测定,从而对铜/银复合粉导体浆料的综合性能进行表征。??(1)
昆明理工大学硕士学位论文???下每条线的阻值。使用刮板将导体浆料通过丝网印刷成下图2.7所示的1?mmxlOO??mm长的迷宫形图形。导电膜阻值的测定使用的是SD2002型数字欧姆表。??Bii??图2.7迷宫图形??Fig2.7?Maze?pattern??用SD2002型数字欧姆表测出常温(20°C?25°C)电阻值,再由测厚仪测烘??于膜层厚度。迷宫型图形由100个1mm2的方格组成,相当于100?口,假设测定??阻值为R,那么方阻用/"〇〇x25j,其中H为测定的厚度(任找五点取平均??值)。??(4)
本文编号:3357447
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