CsPbX 3 钙钛矿量子点的合成及其光电探测应用的研究
发布时间:2021-09-22 12:38
无机钙钛矿量子点(IPQDs)或纳米晶(IPNCs)在具有传统量子点的量子尺寸效应、量子限域效应等特性的基础上,兼具有钙钛矿材料载流子迁移率高、扩散长度长、光吸收能力强、发光效率高、能带工程快捷等优点,在LED,QLED,激光,荧光探针和太阳能电池等方面,具有广阔应用前景。本研究采用热注入法、过饱和法和离子交换法合成了发光范围由410nm-700nm,覆盖整个可见光范围的钙钛矿量子点溶液,探索了不同卤素元素种类和比例对合成产物发光波长的影响。之后对合成产物进行了两种方式提纯以探索表面有机配体对量子点性能和器件制备的影响。对于合成的量子点进行测试表征,包括透射电镜、吸收光谱和光致发光光谱测试,所得产物粒径为20-50nm,发光波长为410-700nm,半峰宽(FWHM)17-35nm。由测试结果对比了不同合成方法产物的性质,结果表明热注入法产物在发光性质、稳定性等方面具有明显优势,其余合成方法在合成效率等方面具有一定研究意义。对于不同提纯方法与次数得到的量子点溶液测试结果表明,经过2-3次有机配体清洗能够取得器件制备与量子点性能保持之间的平衡。依据光电探测器基本原理与结构,以本研究合成的...
【文章来源】:东南大学江苏省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:55 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
MAPbI3结构图
图 1-1 MAPbI3结构图MAPbI3为例,其结构如图 1-1 所示,占子,该结构在分子水平上将有机基团嵌工的半导体材料相比,具有无可比拟的其在分子层面实现了杂化的晶体结构,为一种炙手可热的新型吸光材料[13]。
图 1-3 无机半导体量子点红外探测者外延生长法制备半导体量子点需要较高的制备温度,制大尺寸制备,更无法兼容需要常温常压工艺的柔性衬底。新的突破口[30]。这种量子点合成工艺方法简单,量子点材以采用简易的旋涂法或者喷墨打印在任意基底上,包括已点作为光电转换活性材料的探测器结构可以简单地分为量探测器件和量子点晶体管光电探测器件。量子点光电导探场的正负极性无关。但是光电导探测器件的工作性能受到器件的探测速度比较慢[30]。研究人员利用新型的纳米材料]。由于采用溶液法不需要很高的制备温度,该光电导探测如器件的 I-V 特性曲线以及光电流增益所示,纳米材料的换特性。但是即使采用纳米材料,电导型的探测器件一步研究基于二极管与晶体管结构的量子点光电探测器件
【参考文献】:
期刊论文
[1]可溶液加工的有机-无机杂化钙钛矿:超越光伏应用的“梦幻”材料[J]. 王娜娜,司俊杰,金一政,王建浦,黄维. 化学学报. 2015(03)
本文编号:3403773
【文章来源】:东南大学江苏省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:55 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
MAPbI3结构图
图 1-1 MAPbI3结构图MAPbI3为例,其结构如图 1-1 所示,占子,该结构在分子水平上将有机基团嵌工的半导体材料相比,具有无可比拟的其在分子层面实现了杂化的晶体结构,为一种炙手可热的新型吸光材料[13]。
图 1-3 无机半导体量子点红外探测者外延生长法制备半导体量子点需要较高的制备温度,制大尺寸制备,更无法兼容需要常温常压工艺的柔性衬底。新的突破口[30]。这种量子点合成工艺方法简单,量子点材以采用简易的旋涂法或者喷墨打印在任意基底上,包括已点作为光电转换活性材料的探测器结构可以简单地分为量探测器件和量子点晶体管光电探测器件。量子点光电导探场的正负极性无关。但是光电导探测器件的工作性能受到器件的探测速度比较慢[30]。研究人员利用新型的纳米材料]。由于采用溶液法不需要很高的制备温度,该光电导探测如器件的 I-V 特性曲线以及光电流增益所示,纳米材料的换特性。但是即使采用纳米材料,电导型的探测器件一步研究基于二极管与晶体管结构的量子点光电探测器件
【参考文献】:
期刊论文
[1]可溶液加工的有机-无机杂化钙钛矿:超越光伏应用的“梦幻”材料[J]. 王娜娜,司俊杰,金一政,王建浦,黄维. 化学学报. 2015(03)
本文编号:3403773
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