掺杂和异质结对金属氧化物半导体气敏性能影响的研究

发布时间：2021-09-29 23:59

　　随着社会和科技的发展,环境污染日益加重。其中空气污染尤为严重。空气污染不仅破坏大自然也威胁着人们的健康和安全。在新闻报道中时常能看见易燃易爆气体引起的爆炸或是有毒有害气体泄漏引起的人员伤亡问题。因此时刻监控空气质量且及时的报警和防范是很有必要的。由于半导体式气体传感器具有可实时监测、操作简单、成本低等优点,很多研究者们致力于制备性能更好的气体传感器。自1962年T Seiyama等人用ZnO、SnO₂薄膜成功制备半导体式气体传感器之后,金属氧化物半导体传感器成为半导体式气体传感器的一个重要分支。目前制备纳米材料的方法有许多种,如液相沉积法、水热法、水浴法、静电纺丝法等。其中水热法具有形成的产物纯度高、很好地控制产物的理想配比及结构形态、反应温度低等优点,因此广泛地用于纳米材料的制备。本文通过水热法制备气体传感器的气敏材料,利用掺杂、构建异质结来提高传感器的性能。本文主要研究内容如下:第一,通过水热法制备了纯α-MoO₃纳米片,并对其进行了不同浓度的Ni掺杂。对所制备的材料进行了各种表征,了解材料的成分和形貌。对纯α-MoO₃

【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：58 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

气体传感器的分类（1）半导体式气体传感器的敏感部分是半导体材料，半导体材料将气体的相关信

mol%Ni掺杂的α-MoO3（a）XPS图（b）Mo3d图谱（c）O1s图谱

（a）0mol%（b）2.5mol%（c）5mol%（d）10mol%Ni掺杂的α-MoO3SEM图

【参考文献】：
期刊论文
[1]High Response Gas Sensors for Formaldehyde Based on Er-doped In2O3 Nanotubes[J]. Xuesong Wang,Jinbao Zhang,Lianyuan Wang,Shouchun Li,Li Liu,Chang Su,Lili Liu.  Journal of Materials Science & Technology. 2015(12)



本文编号：3414709