半导体纳米管/柱阵列的制备及其光催化性能研究

发布时间：2021-10-11 07:30

　　水是生命之本,万物之源。然而,由于科技的迅速发展、人口的过度膨胀、自然资源的掠夺式开采和不计后果的利用,导致水资源遭受前所未有的严重污染。近年来,光催化降解水体中污染物取得的一系列研究成果,展现了其解决水体污染的光明前景。氧化锌（ZnO）和二氧化钛（TiO₂）是光催化性能优异的宽禁带半导体材料。然而,量子效率低、对太阳光吸收利用率低、电子-空穴易复合以及催化剂回收利用难度大等问题限制了它们的实际应用。针对这一问题,本文利用多孔聚碳酸酯模板辅助的电沉积法以及阳极氧化法将氧化锌和二氧化钛纳米材料制备成有序的纳米柱/管阵列,又使用电沉积法将银与氧化锌复合、二硫化钼与二氧化钛复合,以期开发高效可回收利用的氧化锌、二氧化钛基光催化剂。通过模板辅助的电化学沉积方法,在氧化铟锡导电玻璃（Indium Tin Oxide,ITO）上制备了直径800nm、长约10μm的ZnO纳米柱阵列,研究了电化学沉积电量对氧化锌纳米柱长度的影响,发现ZnO纳米柱阵列的长度与电量成正比;通过电沉积的方法,掺杂银对氧化锌进行修饰和改性,制备了不同银含量的Ag-ZnO纳米柱阵列,使用各种手段对其进行表... 

【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】：65 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

光催化氧化反应机理示意图

结构阵列组分间的三种接触方式 （a）完全界触；（c）非接触界面接触（Fully interfacial contact）。一种积在骨架上以形成具有附加活、，钝化、二类是准界面接触（Quasi-facet interfaci要素之间形成，一种成分可以作为骨架，殊位置。第三类是不直接接触（Non-cont个成分周围但保留一些间隙，或者位于第成分有的类似外部环境，但最大程度上保材料简介和应用起始于 20 世纪 30 年代，在 19 世纪 70 年 1980 年研究热度逐渐减退。20 世纪 90 年子阱、纳米柱以及量子点的研究的进展而

闪锌矿晶体结构和氯化钠八面体晶体矿晶体结构，不仅其在自然界中原料来成为学界研究的热点。氧化锌如图 1-3 所示[46]。纤锌矿07 ，属于 AB 型共价键晶体。氧化等诸多的优异性能，在太阳能电池研实用价值。但是 ZnO 只能吸收紫外效率不高。很多方法被用来试图拓宽属掺杂以及耦合其它半导体等方法体与 ZnO 耦合形成耦合半导体体系协同增强效应，不仅可以拓宽 ZnO 的的分离，从而提高材料的光催化或是效果。纳米级 Ag 具有等离子体共振转移[14,15]，可以直接提高半导体的各沉积了银，发现其发光强度增强了

【参考文献】：
期刊论文
[1]纳米ZnO气敏传感器研究进展[J]. 宣天美,尹桂林,葛美英,林琳,何丹农.  材料导报. 2015(01)
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硕士论文
[1]锥状微纳马达的制备及增速方法研究[D]. 常晓丛.哈尔滨工业大学 2014



本文编号：3430067