前驱体法制备碳化硅/硅氧碳陶瓷复合材料

发布时间：2021-10-16 06:06

　　采用含氢聚硅氧烷、环四甲基硅氧烷和超细硅粉为主要原料,在氩气保护下热解制得了碳化硅/硅氧（SiC/SiOC）碳陶瓷复合材料。结果表明:在1000¹200℃热解,制得了致密的硅氧碳陶瓷材料,硅粉颗粒均匀分布在基体中。当热解温度为1400℃时,硅氧碳陶瓷发生相分解,生成少量无定形碳化硅,添加硅粉后无定型碳化硅转变为有序晶体结构,且有少量孔洞随机分布在碳化硅/硅氧碳陶瓷复合材料中。提高热解温度至1500℃,生成的碳化硅量增加,但仍为无定型结构;添加硅粉后促进硅氧碳陶瓷中生成大量有序结构的碳化硅,产物中碳化硅衍射峰最强;生成的碳化硅/硅氧碳陶瓷复合材料的微观形貌表现为多孔结构,且基体内均匀分布着大量的孔洞,孔径约3μm。 

【文章来源】：中国陶瓷. 2016,52(02)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【参考文献】：
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博士论文
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硕士论文
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本文编号：3439296