CIGS异质结中的侧向双极性光电阻效应及其在光位敏探测器和存储器中的应用（英文）

发布时间：2021-10-22 16:22

　　CIGS异质结中存在侧向光伏效应,并且由于光照区域和非光照区域间载流子浓度的不同,会产生扩散运动及扩散流.利用该扩散载流子对外加偏压下漂移载流子的散射作用,成功实现了侧向光电阻效应,该效应可用于开发基于光电阻调控的新型光位敏探测器.该结构侧向光电阻响应光谱范围为330～1150 nm,位置灵敏度达63.26Ωmm-1,非线性度<4.5%,响应速度为14.46 ms（上升）和14.52 ms（下降）.另外,考虑到不同光照位置处电阻的差异,该效应还可用于开发平面高密度光控的电阻存储器件.不同位置处电阻大小可通过外加偏压、光功率密度和光波长等条件进行有效调控,且均表现出很好的稳定性,存储密度可达1μm.最后,通过载流子扩散和漂移作用模型,对上述现象的产生和调控机理进行了解释.该研究提出了基于侧向光电阻调控的光位敏探测器和存储器的新方法,揭示了CIGS异质结的一种新应用;同时为其他材料或结构在开发光电阻为基础的探测和存储器件方面提供了新思路. 

【文章来源】：Science Bulletin. 2020,65(06)EISCICSCD

【文章页数】：9 页


本文编号：3451459