单分子二维范德华异质结的层间电输运性质

发布时间：2021-11-17 10:03

　　<正>随着集成电路和芯片的快速发展,电子器件小型化是电子信息产业发展的必然趋势,而这将导致其工艺和研发成本大幅增加,同时会产生热耗散、量子隧穿效应、强电场等一系列技术难题.通过"自下而上"的方式构筑单分子电子器件,是未来集成电路器件小型化进程中重要的潜在选项之一.2020年5月30日,洪文晶教授课题组、杨扬副教授课题组和欧洲科学院柯林·兰伯特院士课题组于Science Advances期刊在线发表研究论文[1],报道了单分子二维范德华异质结器件的构筑及其电输运性质.文中基于二维材料范德华异质结和有机分子的优 

【文章来源】：厦门大学学报(自然科学版). 2020,59(04)北大核心CSCD

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石墨烯单分子二维范德华异质结的层间输运示意图（a）以及层间输运和面内输运的输运规律（b)

石墨烯单分子二维范德华异质结的层间输运示意图（a）以及层间输运和面内输运的输运规律（b)


本文编号：3500684