原位氧化聚合法制备聚吡咯薄膜及其性能研究

发布时间：2021-11-18 09:12

　　运用原位氧化聚合法,以十二烷基苯磺酸钠（SDBS）为掺杂剂,在石英基片表面制备了掺杂聚吡咯（PPY）薄膜。通过傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪和扫描电镜表征了薄膜的结构和微观形貌,并通过四探针测试仪和矢量网络分析仪测试了它的导电性和吸波特性。相比于未掺杂的聚吡咯薄膜,SDBS掺杂PPY薄膜的均匀性和致密性更高,导电性和吸波特性也有所改善。 

【文章来源】：电镀与涂饰. 2020,39(16)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

聚吡咯原位氧化聚合机理

从图2可见，C、N、Cl、O等元素的特征峰表明聚合物中有吡咯环。氧元素则可能是由于聚吡咯的多孔性质，物理吸附了空气中的氧所致，氧并不与聚合物中的C、N发生化学键合。Cl离子的结合能为197.8 e V，表明聚合反应时，Cl没有参与氧化还原反应[7]。2.2 红外光谱分析

未掺杂(左)与SDBS掺杂(右)聚吡咯薄膜的红外光谱图

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3502626