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氮化碳/金属氧化物复合材料的制备及其光催化抗菌性能研究

发布时间:2021-11-26 04:19
  石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种非金属半导体,由C、N两种元素组成,其对可见光响应,并且结构可控,稳定性好,具有良好的光催化性能,因此成为光催化领域的研究热点。将g-C3N4与半导体金属氧化物复合,形成异质结结构,可以提高光催化性能。本文通过煅烧法制备了g-C3N4,并采用共混煅烧法合成了In2O3/g-C3N4、CeO2/g-C3N4和WO3/g-C3N4复合材料。利用XRD、FT-IR、SEM、DRS、PT和抗菌实验探讨了材料的结构、形貌、光电性能和光催化抗菌活性,并通过活性物种捕获实验阐述了光催化抗菌机理。内容如下:(1)采用煅烧法制备g-C3N4,并通过共混煅烧法合成In2<... 

【文章来源】:江苏大学江苏省

【文章页数】:84 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

氮化碳/金属氧化物复合材料的制备及其光催化抗菌性能研究


银离子抗菌机理图

半导体光催化,机理


图 1.2 半导体光催化机理图. 1.2 Mechanism of semiconductor photocatalytic re2首次被发现在紫外光照射下有良好的杀菌]。但 TiO2的带隙为 3.2 eV,其吸收边带为光只占太阳能的 4%,因此太阳能的利用率dS 被发现,其对可见光响应,但它的稳定光型光催化剂受到了人们的广泛关注。其 C、N 两种元素组成,带隙约为 2.7 eV,其性好,具有良好的光催化性能,因此成为光作污染物降解[33]、制氢[34]、固氮[35]等领域很好的应用前景[36]。碳(g-C3N4)概述

半导体光催化,机理


些反应前驱体价廉易得,制备方法简便且制备得到的 g-C3N4的聚热聚合法逐渐成为制备 g-C3N4的一种重要且常用的合成方法。3N4的改性3N4在应用过程中还显示出一些不足之处,如较大的粒径、较低的的光生电子-空穴复合率、较低的载流子迁移能力和有限的可见其中,g-C3N4的光生 e-和 h+的复合又可以分为表面复合和体相导体产生光生 e-和 h+,它们有四种可能的行动途径,如图 1.3。到达材料表面,与 O2反应,生成强氧化性的 O2-和 H2O2。途径材料表面,与水中的 OH-反应,生成强氧化性的 OH。途径 C 为材料表面过程中,e-和 h+发生复合,称为体相复合。途径 D 为到材料表面,在材料表面的 e-和 h+发生复合,称为表面复合。

【参考文献】:
期刊论文
[1]Facile Synthesis of N-Doped Graphene-Like Carbon Nanoflakes as Efficient and Stable Electrocatalysts for the Oxygen Reduction Reaction[J]. Daguo Gu,Yao Zhou,Ruguang Ma,Fangfang Wang,Qian Liu,Jiacheng Wang.  Nano-Micro Letters. 2018(02)
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[4]抗菌剂在纺织品上的应用及发展[J]. 王小娟.  轻纺工业与技术. 2017(03)
[5]纳米抗菌剂抗菌性能研究进展[J]. 徐胜平,王升启,刘琪琦.  生物技术通讯. 2016(06)
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[10]无机纳米抗菌剂及其载体[J]. 秦嘉旭,张亚涛,陈义丰,赵斌伟,林雅逢,张浩勤.  材料导报. 2011(S2)

博士论文
[1]基于石墨烯或类石墨氮化碳复合光催化剂的制备、表征及其光催化性能的研究[D]. 陈路呀.华南理工大学 2014

硕士论文
[1]二氧化铈及其复合材料光催化性能的研究[D]. 袁赛赛.扬州大学 2015



本文编号:3519382

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