SiC/SiC陶瓷基复合材料SLS/PIP制备工艺及弯曲性能

发布时间：2022-01-06 00:12

　　针对选择性激光烧结技术（SLS）成型陶瓷材料致密性低、力学性能差的问题,采用选择性激光烧结技术（SLS）与聚合物浸渍裂解技术（PIP）相结合的方法,以碳化硅、环氧树脂和聚碳硅烷为原料,制备SiC/SiC陶瓷基复合材料。研究选择性激光烧结工艺参数、试件尺寸精度、微观结构及弯曲性能。结果表明:通过SLS/PIP技术可有效降低碳化硅陶瓷试件的孔隙率,试件密度为2.45 g/cm³,弯曲强度达到138.28 MPa。该方法可以实现传统方法无法解决的表面及内部复杂结构碳化硅陶瓷基复合材料的制备问题。 

【文章来源】：哈尔滨理工大学学报. 2020,25(03)北大核心

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

SLS/PIP技术制备SiC/SiC陶瓷基

经过不同周期PIP处理后的SiC/SiC

SLS/PIP技术制备SiC/SiC陶瓷基

【参考文献】：
期刊论文
[1]基于SLS/CIP工艺SiC陶瓷的制备及其性能[J]. 陈鹏,朱小刚,吴甲民,王联凤,史玉升.  材料工程. 2019(03)
[2]Si粉粒径及其添加量对SiC陶瓷材料结构和性能的影响[J]. 马丽君,李文凤,黄庆飞,谢育波,侯永改.  金刚石与磨料磨具工程. 2018(04)



本文编号：3571319