纳米线肖特基势垒中势垒结构和电学传输的同步测量

发布时间：2022-01-09 16:47

　　金属和半导体的接触有两种类型:欧姆接触和肖特基接触。当形成肖特基势垒时,器件的传输性质主要受肖特基势垒的控制。基于纳米线的肖特基势垒器件具有灵敏度高、响应速度快、开关比大的优点,受到了广泛的关注和研究。近年来利用纳米线肖特基势垒发展了多种高性能的器件,例如整流二极管、光检测器、气体传感器、电阻开关等。势垒结构模型的建立是分析肖特基势垒电学传输特性的基础。在传统的平面接触型肖特基势垒中,通过在无限大平面下近似求解泊松方程,得到了一维势垒结构模型。目前,大多数的纳米线肖特基势垒的电学分析仍然采用了传统平面势垒中的一维势垒结构模型。但是,纳米线肖特基势垒与传统平面肖特基势垒具有显著的结构差异。纳米线肖特基势垒接触区的尺寸不是无限大的,而是局限在纳米范围内。而且,大多数纳米线器件采用侧面接触电极,属于横向接触,而不是纵向接触。因此,利用传统一维势垒结构模型来分析纳米线肖特基势垒,在很多情况下具有局限性,所获取电学参数的准确性需要谨慎鉴别。因此,分析并检测纳米线肖特基势垒的结构,建立势垒结构模型,探索势垒结构对电学传输的调控作用,有利于理解纳米线肖特基势垒器件的工作机制。利用原子力显微镜可以测量... 

【文章来源】：河南大学河南省

【文章页数】：82 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

在AAO模板上组装的ZnO纳米线阵列的光致发光图

图 1-2 三个器件(a)电流与电压的关系；(b)光强度与电流的关系[30]ZnO 在三极管中的应用主要是集中在场效应晶体管领域。在 2013 年，Raza 等了一个快速回复的光电转换器，图 1-3 是它的示意图。这个转换器主要是由透明的 ZnO 纳米线场效应晶体管和不透明场效应晶体管分别作为驱动器和负载构成的。紫外线照射终止后，光电流的恢复一般需要很长时间。这种持久的光电导性（PP由于 ZnO 纳米线表面上的空穴俘获造成的。在这里，作者在紫外线照射后使用了

)ZnO 纳米线场效应晶体管的示意图；(b)ZnO 纳米线场效应晶体管阵列扫描图；纳米线光转换器的扫描图[3]性能和比表面积息息相关。由于 ZnO 纳米线直径减小，它的比表面积味着基于纳米线的传感器会有更高的传感性能。

【参考文献】：
硕士论文
[1]ZnO纳米带/线肖特基势垒结构的微区测量和理论模拟[D]. 张永乐.河南大学 2016



本文编号：3579083