晶格反演法构建SiC/Mg界面对势及其验证

发布时间：2022-01-10 04:51

　　通过分析SiC和Mg的晶体结构,构造了SiC与Mg的共格晶面。采用Chen-M9bius晶格反演法对SiC/Mg界面的原子对势进行了反演,分别推导了Si和Mg原子、C和Mg原子间作用势与界面结合能关系的解析表达式。在此基础上,从头计算了SiC/Mg界面的结合能曲线,结合反演公式得到了Si和Mg原子、C和Mg原子的对势函数,并对反演过程的自洽性进行了检验。此外,建立了其他6种不同的SiC/Mg界面构型,通过对比反演对势计算的界面结合能与从头计算的结果,对反演所得对势的可转移性进行了验证。结果表明:从头计算的界面结合能可以由反演对势精确地算出,整个反演过程和结果是自洽的,所得原子对势同样适用于其他界面构型,具有良好的可转移性。本文推导的反演公式同样适用于与SiC/Mg界面结构相似的其他界面原子对势的研究。 

【文章来源】：复合材料学报. 2017,34(08)北大核心EICSCD

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 原子间作用势的反演
    1.1 晶格结构
    1.2 反演公式
2 结果与讨论
    2.1 从头计算确定原子对势
    2.2 可转移性验证
3 结论



本文编号：3580084