原子层厚度二硫化钼纳米器件及其性能调控研究

发布时间：2022-01-11 21:14

　　1959年,物理学家RichardFeynman在其著名的演讲“下面的空间还很大”中说到,“如果层状结构中每一层都采用最适合的排列方式进行排列,那我们能用来做什么呢?”。自二维层状材料（2DLMs）发现以来,我们离这个问题的答案已然越来越近。人们将2DLMs进行人工纳米复合,制备出具有不同功能特性的范德华异质结构（vdWHs）,并发展出各种新奇的物理性能。vdWHs器件有望成为下一代纳米电子学器件。二硫化钼（MoS2）以其合适的带隙宽度与2DLMs独有的特性而受到广泛的关注。本文以MoS2为基制备出具有特殊性能的场效应管并研究其输运特性,主要包括:基于传统干转印技术,我们发展出一种能够将超薄二维层状材料置于vdWHs的最顶层的方法,即翻转范德华堆垛转印技术。该方法可摆脱2DLM的厚度、种类、尺寸形状等因素,能够快速、简洁、高效地获得所需vdWHs,且该vdWHs顶层超薄2DLM表面未受到任何污染,且几乎无气泡褶皱出现。该方法为对2DLM表面洁净度要求很高的器件的制备提供了一个全新的实验手段,如扫描隧道显微镜测量所需纯净表面,以及作为隧穿电极的中间层等。利用上述方法制备出了以超薄h-BN... 

【文章来源】：中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】：117 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

图１．２?（ａ）块体层状材料；（ｂ）使用胶带反复黏贴后将层状薄层转移至Ｓｉ０２／Ｓｉ基片上；??（ｃ）典型的单层Ｍ〇Ｓ２光学照片

（ｈ－ＢＮ）、立方氮化硼Ｕ－ＢＮ）以及纤锌矿型氮化硼（ｗ－ＢＮ）四种，其中ｈ－ＢＮ??是最稳定的一种结构形态，块体的ｈ－ＢＮ晶体结构与石墨非常相近，等量的Ｂ与??Ｎ原子交替排列形成六方层状结构【８３＿８４］（图１．４），因其颜色为白色，通常被称??４??

［９７］制备了具有超高质量以ｈ－ＢＮ作为隧穿层的Ａｕ－ｈＢＮ－Ａｕ隧穿器件，在所测量??的所有隧穿结当中，隧穿电阻均在几ｋＱ／＾ｉｍ２的量级上。并且进行散射噪声测试??发现，额外散射噪声均与理论预期一致，如图１．５所示。??５??


本文编号：3583473