自催化生长GaSb纳米线及其在高性能紫外-可见-近红外光电探测器中的应用（英文）
发布时间：2022-01-20 19:59
本文应用镓金属液滴作为催化剂,采用化学气相沉积方法自催化合成了单晶GaSb纳米线.研究表明该GaSb纳米线为典型的p型半导体,霍尔迁移率为> 0.042 cm2V-1s-1.硅基和柔性衬底上构筑的基于GaSb纳米线的光电探测器,具有良好的紫外-可见-近红外宽光谱探测性能.硅基器件对500 nm的可见光响应率可达3.86×103A W-1,探测率可达3.15×1013Jones;柔性器件在保持相似光电性能的同时,具有极好的机械柔韧性和稳定性.本文有助于更好地揭示自催化生长的GaSb纳米线的性能,并为进一步设计基于GaSb纳米线的功能光电器件打下了实验基础.
【文章来源】：Science China Materials. 2020,63(03)EISCICSCD
【文章页数】：9 页
【参考文献】：
期刊论文
[1]Optoelectronic properties of single-crystalline GaInAsSb quaternary alloy nanowires[J]. 李梦姿,陈新亮,李洪来,张学红,祁朝阳,王晓霞,范鹏,张清林,朱小莉,庄秀娟. Chinese Physics B. 2018(07)
[2]Single-Crystalline In Ga As Nanowires for Room-Temperature High-Performance Near-Infrared Photodetectors[J]. Huang Tan,Chao Fan,Liang Ma,Xuehong Zhang,Peng Fan,Yankun Yang,Wei Hu,Hong Zhou,Xiujuan Zhuang,Xiaoli Zhu,Anlian Pan. Nano-Micro Letters. 2016(01)
本文编号：3599432
【文章来源】：Science China Materials. 2020,63(03)EISCICSCD
【文章页数】：9 页
【参考文献】：
期刊论文
[1]Optoelectronic properties of single-crystalline GaInAsSb quaternary alloy nanowires[J]. 李梦姿,陈新亮,李洪来,张学红,祁朝阳,王晓霞,范鹏,张清林,朱小莉,庄秀娟. Chinese Physics B. 2018(07)
[2]Single-Crystalline In Ga As Nanowires for Room-Temperature High-Performance Near-Infrared Photodetectors[J]. Huang Tan,Chao Fan,Liang Ma,Xuehong Zhang,Peng Fan,Yankun Yang,Wei Hu,Hong Zhou,Xiujuan Zhuang,Xiaoli Zhu,Anlian Pan. Nano-Micro Letters. 2016(01)
本文编号：3599432
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