Ba 2 FeMoO 6-x F x 与La 0.67 Sr 0.33 MnO 3-x F x 的结构与性能研究
发布时间：2022-02-09 15:08
磁电阻效应是钙钛矿磁性材料研究的主要性能之一。掺杂是材料改性的一种有效方法。近几年混合卤化物钙钛矿太阳能电池的改性研究,以及一些具有双钙钛矿结构的Ba2CaNbO5.5、Ba2InO5（类钙钛矿）电学传输性能改良的研究均通过氧位掺杂F-离子来实现。很少有研究者对钙钛矿和双钙钛矿的氧位进行F-离子掺杂,以及对其结构、磁学以及电学方面进行理论性研究。本文使用高温固相法制备了Ba2FeMoO6-xFx及La0.67Sr0.33MnO3-x-x Fx系列样品,研究其结构及电磁性质。Ba2FeMoO6-xF系列样品均属于立方晶系,空间群为Fm-3m。由于F-离子掺入,部分B位离子的氧化数减小,因此随着掺氟量的增加,晶胞体积整体呈现出增大的趋势。样品的...
【文章来源】：河北大学河北省
【文章页数】：88 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
外加磁场的载流子运动轨迹示意图
第一章绪论3图1-2磁场中载流子受洛伦兹力而发生偏转导致平均自由程减小示意图[26]2.隧道磁电阻效应（TMR）：具有铁磁层-绝缘层-铁磁层的三明治结构，若两层铁磁层的磁化方向相同，则电子穿过绝缘层的几率较大，隧穿电导高，宏观电阻比较校当两个铁磁层的磁化方向处于相反状态时，宏观上电阻表现的相对比较大。通过外加磁场控制极化方向，从而控制隧穿电阻大小，隧道磁电阻与载流子的隧穿效应有关，从而引发TMR效应。TMR效应原理示意图1-3所示：图1-3TMR效应原理示意图[26]1975年Julliere[27]等人观察到，在低温下（T<4.2K）时，首次发现Fe-Ge-Co材料的磁性隧道结中具有隧道磁电阻效应。但是这一重大发现，没有被人关注。随着GMR效应的研究，隧道磁电阻效应逐步得到重视，成为了自旋电子学研究的一个重要研究方向。1995年Miyazak教授[28]等人发现在室温下，Fe-Al2O3-Fe磁性隧道结的TMR值可以达到20%；1996年Lu[29]等人，发现在低温下（4.2K）钙钛矿材料La0.67Sr0.33MnO3
第一章绪论3图1-2磁场中载流子受洛伦兹力而发生偏转导致平均自由程减小示意图[26]2.隧道磁电阻效应（TMR）：具有铁磁层-绝缘层-铁磁层的三明治结构，若两层铁磁层的磁化方向相同，则电子穿过绝缘层的几率较大，隧穿电导高，宏观电阻比较校当两个铁磁层的磁化方向处于相反状态时，宏观上电阻表现的相对比较大。通过外加磁场控制极化方向，从而控制隧穿电阻大小，隧道磁电阻与载流子的隧穿效应有关，从而引发TMR效应。TMR效应原理示意图1-3所示：图1-3TMR效应原理示意图[26]1975年Julliere[27]等人观察到，在低温下（T<4.2K）时，首次发现Fe-Ge-Co材料的磁性隧道结中具有隧道磁电阻效应。但是这一重大发现，没有被人关注。随着GMR效应的研究，隧道磁电阻效应逐步得到重视，成为了自旋电子学研究的一个重要研究方向。1995年Miyazak教授[28]等人发现在室温下，Fe-Al2O3-Fe磁性隧道结的TMR值可以达到20%；1996年Lu[29]等人，发现在低温下（4.2K）钙钛矿材料La0.67Sr0.33MnO3
【参考文献】：
期刊论文
[1]基于La1-xSrxMnO3敏感材料的电流型NOx传感器研究[J]. 胡明江,马步伟,王忠. 分析化学. 2013(10)
[2]新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应[J]. 韩秀峰,刘厚方,张佳,师大伟,刘东屏,丰家峰,魏红祥,王守国,詹文山. 中国材料进展. 2013(06)
[3]超大各向异性磁电阻效应的研究进展[J]. 李润伟. 中国科学基金. 2010(01)
[4]隧道磁电阻效应的原理及应用[J]. 吉吾尔·吉里力,拜山·沙德克. 材料导报. 2009(S1)
博士论文
[1]半导体硅和锗的磁电阻性能研究和应用[D]. 陈娇娇.清华大学 2016
[2]钙钛矿型与双钙钛矿型氧化物的电磁特性及其高压研究[D]. 李娜娜.吉林大学 2014
[3]化学溶液沉积法制备钙钛矿锰氧化物薄膜的合成与表征[D]. 陈蕊.吉林大学 2013
[4]双层钙钛矿型氧化物晶体结构、原子有序及磁电阻研究[D]. 冯晓梅.中国科学院研究生院（物理研究所） 2004
本文编号：3617224
【文章来源】：河北大学河北省
【文章页数】：88 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
外加磁场的载流子运动轨迹示意图
第一章绪论3图1-2磁场中载流子受洛伦兹力而发生偏转导致平均自由程减小示意图[26]2.隧道磁电阻效应（TMR）：具有铁磁层-绝缘层-铁磁层的三明治结构，若两层铁磁层的磁化方向相同，则电子穿过绝缘层的几率较大，隧穿电导高，宏观电阻比较校当两个铁磁层的磁化方向处于相反状态时，宏观上电阻表现的相对比较大。通过外加磁场控制极化方向，从而控制隧穿电阻大小，隧道磁电阻与载流子的隧穿效应有关，从而引发TMR效应。TMR效应原理示意图1-3所示：图1-3TMR效应原理示意图[26]1975年Julliere[27]等人观察到，在低温下（T<4.2K）时，首次发现Fe-Ge-Co材料的磁性隧道结中具有隧道磁电阻效应。但是这一重大发现，没有被人关注。随着GMR效应的研究，隧道磁电阻效应逐步得到重视，成为了自旋电子学研究的一个重要研究方向。1995年Miyazak教授[28]等人发现在室温下，Fe-Al2O3-Fe磁性隧道结的TMR值可以达到20%；1996年Lu[29]等人，发现在低温下（4.2K）钙钛矿材料La0.67Sr0.33MnO3
第一章绪论3图1-2磁场中载流子受洛伦兹力而发生偏转导致平均自由程减小示意图[26]2.隧道磁电阻效应（TMR）：具有铁磁层-绝缘层-铁磁层的三明治结构，若两层铁磁层的磁化方向相同，则电子穿过绝缘层的几率较大，隧穿电导高，宏观电阻比较校当两个铁磁层的磁化方向处于相反状态时，宏观上电阻表现的相对比较大。通过外加磁场控制极化方向，从而控制隧穿电阻大小，隧道磁电阻与载流子的隧穿效应有关，从而引发TMR效应。TMR效应原理示意图1-3所示：图1-3TMR效应原理示意图[26]1975年Julliere[27]等人观察到，在低温下（T<4.2K）时，首次发现Fe-Ge-Co材料的磁性隧道结中具有隧道磁电阻效应。但是这一重大发现，没有被人关注。随着GMR效应的研究，隧道磁电阻效应逐步得到重视，成为了自旋电子学研究的一个重要研究方向。1995年Miyazak教授[28]等人发现在室温下，Fe-Al2O3-Fe磁性隧道结的TMR值可以达到20%；1996年Lu[29]等人，发现在低温下（4.2K）钙钛矿材料La0.67Sr0.33MnO3
【参考文献】：
期刊论文
[1]基于La1-xSrxMnO3敏感材料的电流型NOx传感器研究[J]. 胡明江,马步伟,王忠. 分析化学. 2013(10)
[2]新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应[J]. 韩秀峰,刘厚方,张佳,师大伟,刘东屏,丰家峰,魏红祥,王守国,詹文山. 中国材料进展. 2013(06)
[3]超大各向异性磁电阻效应的研究进展[J]. 李润伟. 中国科学基金. 2010(01)
[4]隧道磁电阻效应的原理及应用[J]. 吉吾尔·吉里力,拜山·沙德克. 材料导报. 2009(S1)
博士论文
[1]半导体硅和锗的磁电阻性能研究和应用[D]. 陈娇娇.清华大学 2016
[2]钙钛矿型与双钙钛矿型氧化物的电磁特性及其高压研究[D]. 李娜娜.吉林大学 2014
[3]化学溶液沉积法制备钙钛矿锰氧化物薄膜的合成与表征[D]. 陈蕊.吉林大学 2013
[4]双层钙钛矿型氧化物晶体结构、原子有序及磁电阻研究[D]. 冯晓梅.中国科学院研究生院（物理研究所） 2004
本文编号：3617224
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