CdS和AZO薄膜的磁控溅射法制备及太阳电池应用

发布时间：2022-02-14 19:40

　　面对日益严峻的全球能源危机问题,太阳能作为一种清洁、可再生的能源备受关注。CdS薄膜与太阳光的光谱匹配较好、AZO薄膜在可见光范围内有高透过率和低电阻率等特点在太阳电池中具有广泛的应用。本文采用磁控溅射法在玻璃衬底上分别制备了CdS薄膜和AZO薄膜,并使用XRD、SEM、紫外可见分光光度计等测量仪器表征薄膜性能。通过研究衬底温度、溅射压强和溅射功率对薄膜性能的影响,得到最佳制备工艺。在单层薄膜的研究基础上,制备了AZO/CdS/P-Si太阳电池。本文研究发现,在0.44-5.1Pa压强下CdS薄膜都具有六方（102）择优取向,在550 nm-800nm波段薄膜的透射率均大于70%,随着压强的增大薄膜吸收边向短波方向移动,暗电导率随着压强的增大而增大,但过高的压强会使薄膜表面出现孔洞且性能变差;改变温度的大小对薄膜的六方（102）峰择优取向影响较大,随着衬底温度的升高,CdS薄膜的结构变得稳定,暗电导率增大,且有较高的透射率,均保持在80%以上。从实验结果来看,不同ZnO和Al溅射功率之比下采用共溅射法制备的AZO薄膜均有（005）择优取向且有较高的透过率,溅射功率之比为120:8时,薄... 

【文章来源】：暨南大学广东省211工程院校

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【图文】：

化石能源探明存储量比价较图

光吸收能带图

图 1-3 理想 PN 结太阳电池的等效电路图 图 1-4 实际 PN 结太阳电池的等效电太阳电池的 I-V 特性（即伏安特性）可由肖克莱方程[3,9]表示：(exp1)0 kTqVIIIIIIphDshph（1其中 I0是二极管的饱和电流，k 为玻尔兹曼常数，T 为温度，q 为电子电量。

【参考文献】：
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本文编号：3625153