基于氧化钼薄膜的光控太赫兹传输特性研究

发布时间：2022-04-23 15:57

　　本文采用热蒸发法制备了沉积在硅片上的200nm氧化钼（MoO₃）的太赫兹调制薄膜。在室温条件下,通过傅里叶光谱仪和太赫兹时域光谱系统（THz-TDS）技术,研究了MoO₃薄膜在不同激励光功率下的太赫兹传输特性。提出了薄膜重要光学参数的提取模型,利用透射式太赫兹时域光谱技术测量了薄膜的时域信号,分别计算了太赫兹波在薄膜中的透过率及调制效率及薄膜的复介电常数变化。结果表明,在980nm激光器条件下,随着激光器功率的提高,MoO₃薄膜的太赫兹调制深度逐渐增加。在激光功率为266mW时,在0.26THz处透过率达到最低为61%,调制效率（Modulation factor）达到最高为10%。通过分析MoO₃薄膜的复介电常数及载流子密度变化,得出了激发生成的载流子浓度的提高导致介电常数的改变,增强了薄膜的导电性,从而减低了太赫兹波在薄膜中的透过率的结论。为MoO₃薄膜应用在太赫兹波段调制领域提供了实验数据。 

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 引言
2 实验
    2.1 氧化钼薄膜的太赫兹介电响应模型
    2.2 方法
3 结果与讨论
    3.1 太赫兹时域光谱
    3.2 太赫兹传输特性
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3647507