SmB 6 单晶纳米结构的可控制备及场发射特性研究

发布时间：2022-08-10 11:15

　　作为一种典型的近藤拓扑绝缘体,近年来六硼化钐（SmB₆）材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注。与块体材料相比,SmB₆纳米材料由于具有更大的比表面积而拥有更为丰富的表面电子态,因此被认为是一个研究表面量子效应和物理机制的理想平台。由于场发射电流主要来源于纳米材料的表面态,所以研究SmB₆纳米材料的场发射特性可以为研究其表面量子特性提供有益的参考。本研究利用化学气相沉积法,通过控制实验条件在硅衬底上分别实现了SmB₆纳米带和纳米线薄膜的生长。研究结果表明:所制备的SmB₆纳米线和纳米带分别为沿着[100]和[110]方向生长的立方单晶结构。场发射特性的测试结果发现:SmB₆纳米带薄膜的开启电场为3.24 V/μm,最大电流密度达到了466.16μA/cm~2,其场发射性能要优于纳米线薄膜。同时考虑到SmB₆拥有很低的电子亲和势、高电导率和丰富的表面电子态,所以若可以进一步提高其场发射特性,那么很可能在冷阴极电子源领域有潜在... 

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【文章目录】：
1 实验方法
    1.1 SmB6纳米材料薄膜的CVD制备方法
    1.2 样品结构表征与场发射性能测试
2 结果与讨论
    2.1 SmB6形貌与结构表征
3 结论



本文编号：3673537