硒化镉/二硫化钼异质结的制备和光电探测研究

发布时间：2023-01-03 19:39

　　二硫化钼（MOS2）作为过渡金属硫化物的一员,具有独特的电学和光学特性,近些年来受到了广泛的关注。由于其特殊的原子结构排列和物理特性,在克服了石墨烯零带隙的缺点的同时,保留了其优点,使得二硫化钼有潜力成为继石墨烯之后的新兴半导体材料。不同于石墨烯的大规模制备,二硫化钼在制备方面还存在许多难关需要攻克,同时随着研究的进一步发展,单个的材料已经无法满足人类的需求,越来越多异质结构,比如二硫化钼/石墨烯、二硫化钼/二硫化钨等被研制出来,同样在未来将拥有巨大的市场潜力。基于上述,为了实现二硫化钼及由二硫化钼组成的异质结的大面积、高质量生长,及其物理特性的研究,获取的主要成果如下所示:（1）利用化学气相沉积法在二氧化硅片上生长大面积、高质量的二硫化钼薄膜和硒化镉/二硫化钼异质结。异质结表面干净,厚度主要分布在20-60 nm之间。X射线衍射和透射电子显微镜显示了我们研制的二硫化钼薄膜和硒化镉/二硫化钼异质结有着很高的结晶质量且为立方相结构。我们在常温下对二硫化钼薄膜和硒化镉/二硫化钼异质的光学性质进行了测试,其光致发光、拉曼散射光谱也进一步证实我们生长的材料具有优异的结晶性并对异质结的生长做出解... 

【文章页数】：59 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第1章 绪论
    1.1 引言
    1.2 二硫化钼的概述
        1.2.1 二硫化钼的结构
        1.2.2 二硫化钼的特性
        1.2.3 二硫化钼薄膜的制备方式
        1.2.4 二硫化钼的应用
    1.3 本文的选题意义及研究内容
第2章 二硫化钼的CVD制备
    2.1 引言
    2.2 实验部分
        2.2.1 实验原料
        2.2.2 实验仪器
        2.2.3 高结晶度二硫化钼薄膜的制备
    2.3 结果与分析
        2.3.1 二硫化钼薄膜形貌表征与分析
        2.3.2 二硫化钼薄膜AFM表征结果与分析
        2.3.3 二硫化钼薄膜的XRD表征结果与分析
        2.3.4 二硫化钼薄膜的TEM表征结果与分析
        2.3.5 二硫化钼薄膜的光学性质表征结果与分析
    2.4 本章小结
第三章 硒化镉/二硫化钼异质结的CVD制备
    3.1 引言
    3.2 实验部分
        3.2.1 实验原料
        3.2.2 实验仪器
        3.2.3 硒化镉/二硫化钼异质结的CVD制备
    3.3 结果与分析
        3.3.1 硒化镉/二硫化钼异质结的形貌表征与分析
        3.3.2 硒化镉/二硫化钼异质结的AFM表征结果与分析
        3.3.3 硒化镉/二硫化钼异质结的XRD表征结果与分析
        3.3.4 硒化镉/二硫化钼异质结的TEM表征结果与分析
        3.3.5 硒化镉/二硫化钼异质结的光学性质表征结果与分析
        3.3.6 硒化镉/二硫化钼异质结的形成机理分析
    3.4 本章小结
第4章 硒化镉/二硫化钼异质结光电器件研究
    4.1 引言
    4.2 实验部分
        4.2.1 实验原料
        4.2.2 实验仪器
        4.2.3 硒化镉/二硫化钼异质结光电器件的制作
    4.3 结果与分析
        4.3.1 硒化镉/二硫化钼异质结的光电性能测试结果与分析
    4.4 本章小结
结论和展望
    1、结论
    2、展望
参考文献
致谢


【参考文献】：
博士论文
[1]铜锌锡硒光伏材料及硒化铟/二硫化钼二维异质结光电材料的研究[D]. 陈哲生.兰州大学 2016



本文编号：3727468