In 2 O 3 微纳材料的制备及其气敏的性质研究

发布时间：2023-01-15 08:28

　　金属氧化物半导体气敏元件因其制备简单,成本低廉,气敏性能好等优点引起了环境监测领域的广泛关注。本文以In₂O₃基微纳米材料为研究对象,针对气敏传感器中目标气体分子的捕获、气敏材料表面电子的传输、与气体氧化还原反应等过程,对纯相In₂O₃材料改性优化并进行界面调控,从而提高材料的气敏性能及表面反应效率。通过对气敏材料的结构、形貌、气敏性能以及光催化性能等进行测试,从而深入研究In₂O₃基微纳米材料内部的工作机理。本文将通过以下几个方面来提高In₂O₃材料的气敏性能:1.Zn掺杂In₂O₃改性制备单分散Zn掺杂In₂O₃纳米球,并通过XRD、XPS、SEM等对样品进行了表征。气敏测试表明Zn掺杂In₂O₃纳米球对三乙胺（TEA）气体显示优越的气敏性能,具有较高灵敏度和较好的选择性,对50... 

【文章页数】：63 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
abstract
第一章 绪论
    1.1 前言
    1.2 气敏传感器的基本结构和工作原理
        1.2.1 气敏传感器的结构组成
        1.2.2 气敏传感器的工作原理
    1.3 In_2O_3气敏传感器的研究进展
    1.4 本论文的研究目的及研究内容
第二章 Zn掺杂In_2O_3微纳结构的调控及其光催化和气敏性质的研究
    2.1 Zn掺杂In_2O_3纳米球制备及其对三乙胺的气敏性能和光催化性能研究
        2.1.1 引言
        2.1.2 实验部分
        2.1.3 结果与讨论
        2.1.4 小结
    2.2 Zn掺杂对In_2O_3形貌影响及对乙二醇的气敏性能研究
        2.2.1 引言
        2.2.2 实验部分
        2.2.3 结果与讨论
        2.2.4 小结
第三章 ZnO/In_2O_3复合微纳结构的制备及其气敏性质研究
    3.1 引言
    3.2 实验部分
    3.3 结果与讨论
    3.4 小结
第四章 Sn掺杂In_2O_3平板气敏传感器的制备及其气敏性质研究
    4.1 引言
    4.2 实验部分
    4.3 结果与讨论
    4.4 小结
第五章 结论与展望
参考文献
致谢
附录


【参考文献】：
期刊论文
[1]Zn2SnO4气敏材料的水热合成及其掺杂改性[J]. 徐甲强,贾晓华,娄向东,沈嘉年.  传感技术学报. 2005(04)



本文编号：3730847