掺杂氧化锌薄膜在新型显示的应用研究
发布时间：2023-03-05 03:42
随着高分辨率液晶(LCD)、有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)、电子纸(E-paper)等的新型显示技术的快速发展,这些显示产品对驱动背板的技术要求也越来越高。薄膜晶体管(TFT)是驱动各类显示器件发光的核心器件,其性能高低决定了显示器件的显示效果。当前广泛应用的TFT为非晶硅TFT,但传统非晶硅TFT因其迁移率较低和阈值电压漂移严重,难以应用于高分辨率显示以及OLED显示中;虽然多晶硅TFT具备良好的迁移率和稳定性,但其由于晶界的存在导致均匀性较差,限制了多晶硅TFT在高分辨大尺寸显示的应用。而非晶氧化物TFT同时具备良好的均匀性和迁移率较高的特点,并且透明度高和稳定性较好,能实现低温制程,正在广泛应用于新型显示产品。此外,为了开发性能更优的柔性显示和透明显示产品,可替代ITO的柔性透明导电电极是关键一环。本文首先研究背沟道刻蚀(BCE)结构的氧化物TFT工艺。BCE结构是氧化物TFT大规模量产的低成本工艺,因为BCE工艺不仅结构简单,还可以实现小型精细化器件。但由于氧化物TFT的氧化物有源层对刻蚀液以及Plasma工艺敏感,因此在制备源/漏(S/D)电极时,氧...
【文章页数】：84 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
1.1 信息显示技术
1.2 新型显示技术
1.2.1 薄膜晶体管
1.2.2 透明导电薄膜
1.3 掺杂氧化锌体系的研究进展
1.3.1 氧化锌的基本性质
1.3.2 镁掺杂氧化锌
1.3.3 锡掺杂氧化锌
1.3.4 其它掺杂体系氧化锌
1.4 我们的工作内容和意义
第二章 实验设备、原理、器件制备以及性能表征
2.1 引言
2.2 薄膜制备
2.2.1 物理气相沉积
2.2.2 化学气相沉积
2.2.3 原子层沉积
2.2.4 溶液加工法
2.3 表征方法
2.3.1 薄膜厚度
2.3.2 薄膜表面形貌及成分分析
2.3.3 薄膜光学及电学性能
2.3.4 稳定性
2.3.5 薄膜晶体管性能表征
第三章 溶液法ZTO在背沟道刻蚀薄膜晶体管的应用
3.1 引言
3.2 薄膜及器件制备
3.2.1 ZTO薄膜制备
3.2.2 BCE结构MOTFT的制备
3.3 不同比例锡掺杂对薄膜晶体管的影响
3.3.1 TFT器件基本性能
3.3.2 不同比例ZTO薄膜表征
3.3.3 Mo/ZTO/a-IZO的接触电阻
3.3.4 背沟道结构a-IZO TFT的稳定性
3.4 不同固化温度对薄膜晶体管性能影响
3.4.1 短沟道效应
3.4.2 不同固化温度下偏压稳定性的分析
3.4.3 ZTO薄膜分析
3.5 ZTO薄膜抗刻蚀机理分析
3.6 ZTO薄膜在不同有源层体系下的应用
3.7 ZTO对薄膜晶体管稳定性影响的机理分析
3.8 钝化层沉积对薄膜晶体管影响
3.9 背沟道刻蚀薄膜晶体管在AMOLED的应用
3.9.1 AMOLED基本结构
3.9.2 驱动背板工艺路线
3.9.3 MOTFT版图设计
3.9.4 AMOLED单色显示屏
3.10 本章小结
第四章 掺杂氧化锌与银纳米线复合柔性透明导电薄膜
4.1 柔性透明导电薄膜的简介
4.2 掺杂氧化锌与银纳米线复合透明导电薄膜的制备
4.2.1 银纳米线透明导电薄膜的制备
4.2.2 掺杂氧化锌薄膜的制备
4.3 银纳米线透明导电薄膜基本性能
4.4 铝掺杂氧化锌对复合透明导电薄膜的影响
4.5 镁掺杂氧化锌对复合透明导电薄膜的影响
4.5.1 AgNW/ZMO薄膜的光学特性和电学特性
4.5.2 AgNW/ZMO薄膜的耐温性能
4.5.3 AgNW/ZMO薄膜的稳定性
4.5.4 AgNW/ZMO薄膜的弯折性能
4.5.5 AgNW/ZMO的性能分析
4.6 透明导电薄膜在OLED器件的应用
4.7 溶液法ZTO图形化银纳米线透明导电薄膜
4.8 本章小结
结论
参考文献
攻读硕士学位期间取得的研究成果
致谢
附件
本文编号：3755631
【文章页数】：84 页
【学位级别】：硕士
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摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
1.1 信息显示技术
1.2 新型显示技术
1.2.1 薄膜晶体管
1.2.2 透明导电薄膜
1.3 掺杂氧化锌体系的研究进展
1.3.1 氧化锌的基本性质
1.3.2 镁掺杂氧化锌
1.3.3 锡掺杂氧化锌
1.3.4 其它掺杂体系氧化锌
1.4 我们的工作内容和意义
第二章 实验设备、原理、器件制备以及性能表征
2.1 引言
2.2 薄膜制备
2.2.1 物理气相沉积
2.2.2 化学气相沉积
2.2.3 原子层沉积
2.2.4 溶液加工法
2.3 表征方法
2.3.1 薄膜厚度
2.3.2 薄膜表面形貌及成分分析
2.3.3 薄膜光学及电学性能
2.3.4 稳定性
2.3.5 薄膜晶体管性能表征
第三章 溶液法ZTO在背沟道刻蚀薄膜晶体管的应用
3.1 引言
3.2 薄膜及器件制备
3.2.1 ZTO薄膜制备
3.2.2 BCE结构MOTFT的制备
3.3 不同比例锡掺杂对薄膜晶体管的影响
3.3.1 TFT器件基本性能
3.3.2 不同比例ZTO薄膜表征
3.3.3 Mo/ZTO/a-IZO的接触电阻
3.3.4 背沟道结构a-IZO TFT的稳定性
3.4 不同固化温度对薄膜晶体管性能影响
3.4.1 短沟道效应
3.4.2 不同固化温度下偏压稳定性的分析
3.4.3 ZTO薄膜分析
3.5 ZTO薄膜抗刻蚀机理分析
3.6 ZTO薄膜在不同有源层体系下的应用
3.7 ZTO对薄膜晶体管稳定性影响的机理分析
3.8 钝化层沉积对薄膜晶体管影响
3.9 背沟道刻蚀薄膜晶体管在AMOLED的应用
3.9.1 AMOLED基本结构
3.9.2 驱动背板工艺路线
3.9.3 MOTFT版图设计
3.9.4 AMOLED单色显示屏
3.10 本章小结
第四章 掺杂氧化锌与银纳米线复合柔性透明导电薄膜
4.1 柔性透明导电薄膜的简介
4.2 掺杂氧化锌与银纳米线复合透明导电薄膜的制备
4.2.1 银纳米线透明导电薄膜的制备
4.2.2 掺杂氧化锌薄膜的制备
4.3 银纳米线透明导电薄膜基本性能
4.4 铝掺杂氧化锌对复合透明导电薄膜的影响
4.5 镁掺杂氧化锌对复合透明导电薄膜的影响
4.5.1 AgNW/ZMO薄膜的光学特性和电学特性
4.5.2 AgNW/ZMO薄膜的耐温性能
4.5.3 AgNW/ZMO薄膜的稳定性
4.5.4 AgNW/ZMO薄膜的弯折性能
4.5.5 AgNW/ZMO的性能分析
4.6 透明导电薄膜在OLED器件的应用
4.7 溶液法ZTO图形化银纳米线透明导电薄膜
4.8 本章小结
结论
参考文献
攻读硕士学位期间取得的研究成果
致谢
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本文编号：3755631
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