极端电场环境激励下的VO 2 相变性能研究与应用

发布时间：2023-03-18 21:51

　　为揭示V_XO_Y薄膜场致相变规律,推广钒氧化物应用于卫星控制系统,指导氧化钒规模制备,将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al₂O₃陶瓷基片上制备出V_XO_Y薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V₂O₅,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下的生成的薄膜进行了XRD表征。测得了电场激励下V_XO_Y薄膜的相变现象,验证了电场激励下焦耳热并非薄膜相变的主导因素;总结了不同组分下V_XO_Y薄膜的相变规律,研究了不同V₆O₁₃含量对VO₂薄膜临界相变电压的影响规律,可指导V_XO_Y薄膜应用于微纳卫星等极端环境下的设备控制系统。

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【文章目录】：
0 引 言
1 实验过程
    1.1 薄膜的制备
    1.2 高电压测试系统的设计
2 退火温度对VO2薄膜的影响规律
    2.1 氧化时间对V2O5薄膜微观形貌的影响
    2.2 不同氧化温度对V2O5薄膜组分的影响
3 测试结果及分析
    3.1 场致相变规律研究
    3.2 相变电场调节技术研究
4 结 论



本文编号：3763939