CVD技术制备Ta/W层状复合材料

发布时间：2023-03-28 17:42

　　运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析。结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa。

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【文章目录】：
1 实验材料与方法
    1.1 实验原料
    1.2 实验方法
2 实验结果及分析
    2.1 W体积分数测量
    2.2 复合材料的密度测定
    2.3 CVD Ta/W复合材料的微观形貌
    2.4 CVD Ta/W复合材料的力学性能
3 结论



本文编号：3772980