IZO/IGZO纳米结构的制备及其物性研究

发布时间：2023-04-08 04:34

　　InMO₃(ZnO)_m(M=In、Ga)同系物化合物不仅是一种良好的透明氧化物半导体,而且具有良好的电子传输特性,因而受到了人们的广泛关注。InMO₃(ZnO)_m(M=In、Ga)同系物化合物中具有一种新奇的结构—“超晶格结构”,这种特殊的结构赋予了ZnO纳米材料许多令人欣喜的光电性能。近年来,由于ZnO多元掺杂在制备过程中存在一定程度上的困难,所以很少有关于具有超晶格结构的IZO/IGZO纳米线或纳米带的报道,对其物理性质的研究也很少。如何实现IZO/IGZO纳米线和纳米带的可控生长以及对其物理性质的探索成为了研究的关键。本论文中我们成功制备出IZO/IGZO纳米结构,并对其物理性质进行了深入研究。关于IZO纳米结构的制备,主要利用化学气相沉积法。我们使用双温区管式炉,利用高温热蒸发法,以Zn(NO₃)₂和In(NO₃)₃粉末为原材料,在1400℃温度下合成了In₂O₃

【文章页数】：50 页

【学位级别】：硕士

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英文摘要
第一章 绪论
    1.1 前言
    1.2 掺杂ZnO纳米材料研究概述
    1.3 In₂O₃(ZnO)_m超晶格纳米结构研究进展
    1.4 InGaO₃(ZnO)_m超晶格纳米结构研究进展
    1.5 论文选题意义及研究内容
第二章 In₂O₃(ZnO)_m纳米材料制备、表征和电学性能研究
    2.1 实验装置
    2.2 碳热法制备In₂O₃(ZnO)_m纳米材料初步探索
        2.2.1 实验原料
        2.2.2 实验过程
        2.2.3 样品表征
    2.3 高温热蒸发法合成In₂O₃(ZnO)_m纳米结构
        2.3.1 In₂O₃(ZnO)_m纳米结构的制备
        2.3.2 In₂O₃(ZnO)_m纳米结构的表征
        2.3.3 In₂O₃(ZnO)_m纳米带电学性能研究
第三章 InGaO₃(ZnO)_m纳米材料制备及其物性分析
    3.1 高温热蒸发法制备InGaO₃(ZnO)_m纳米线
        3.1.1 InGaO₃(ZnO)_m纳米线的制备
        3.1.2 InGaO₃(ZnO)_m纳米线的表征
    3.2 金属热扩散法制备InGaO₃(ZnO)_m超晶格纳米带
        3.2.1 InGaO₃(ZnO)_m超晶格纳米带的制备
        3.2.2 InGaO₃(ZnO)_m超晶格纳米带的表征
        3.2.3 InGaO₃(ZnO)_m超晶格纳米带电学性能研究
第四章 总结
参考文献
致谢



本文编号：3786014