亚胺化工艺对PI/纳米Al 2 O 3 三层复合薄膜结构与性能的影响

发布时间：2023-04-22 01:36

　　聚酰亚胺(PI)薄膜由于其优异的电气绝缘性能广泛应用于电机绝缘、微电子及航空航天等领域。随着科学技术的不断发展,电气技术向高压和超高压化、微电子技术向小型化,以及变频节能等技术的发展,传统的聚酰亚胺薄膜很难达到要求,这就促使聚酰亚胺薄膜向高性能及功能化方向发展。本文以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为合成单体,以N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)为溶剂,以气相Al₂O₃作为掺杂相,制备了一系列掺杂量不同的PI/纳米Al₂O₃三层复合薄膜,并对制得的复合薄膜进行了耐电晕性能和电击穿性能测试,测试结果显示:当气相Al₂O₃掺杂量为12 wt%时,各种工艺对应的复合薄膜的耐电晕性能和电击穿性能最好,即12 wt%为最佳掺杂量。在确定了最佳掺杂量的基础上设计了十种不同的亚胺化工艺,并制备了一系列第一、二层亚胺化工艺不同的复合薄膜。对三层复合薄膜的第一层进行了红外光谱测试,并计算了不同亚胺化工艺对应的复合薄膜的第一层的亚胺化率,结果显示:红...

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【学位级别】：硕士

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摘要
Abstract
第1章 绪论
    1.1 研究目的与意义
    1.2 聚酰亚胺概述
    1.3 聚酰亚胺复合薄膜
        1.3.1 聚酰亚胺复合薄膜的分类
        1.3.2 聚酰亚胺复合薄膜制备方法
    1.4 聚酰亚胺/无机纳米复合薄膜研究现状
        1.4.1 无机纳米粒子对PI薄膜的改性
        1.4.2 聚酰亚胺制备工艺的改进
    1.5 课题来源及研究内容
        1.5.1 课题来源
        1.5.2 课题研究内容
第2章 实验部分
    2.1 实验原料及设备
        2.1.1 实验原料
        2.1.2 实验设备
    2.2 PI/纳米Al₂O₃三层复合薄膜的制备
        2.2.1 聚酰胺酸(PAA)胶液的制备
        2.2.2 铺膜及亚胺化过程
    2.3 测试与表征
        2.3.1 红外光谱表征
        2.3.2 扫描电子显微镜表征
        2.3.3 击穿场强测试
        2.3.4 耐电晕性能测试
        2.3.5 电导电流测试
    2.4 本章小结
第3章 结果与讨论
    3.1 亚胺化率的计算
    3.2 Al₂O₃最佳掺杂量的确定
        3.2.1 纳米Al₂O₃掺杂量对PI薄膜击穿场强的影响
        3.2.2 纳米Al₂O₃掺杂量对PI薄膜耐电晕性能的影响
    3.3 亚胺化率对PI/Al₂O₃三层复合薄膜结构的影响
    3.4 亚胺化率对PI/Al₂O₃三层复合薄膜击穿场强的影响
    3.5 亚胺化率对PI/Al₂O₃三层复合薄膜耐电晕性能的影响
        3.5.1 亚胺化率对PI/Al₂O₃三层复合薄膜耐电晕时间的影响
        3.5.2 电晕处理后的复合薄膜的表面形貌分析
    3.6 亚胺化率对PI薄膜电导电流特性的影响
        3.6.1 常温下PI薄膜的电导电流特性分析
        3.6.2 变温条件下PI薄膜的电导电流特性分析
    3.7 本章小结
结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的学术论文
致谢



本文编号：3796653