Ga 2 O 3 /GaN/蓝宝石模板上β-Ga 2 O 3 薄膜的生长

发布时间：2023-05-20 02:34

　　为获得高质量的β-Ga₂O₃薄膜,将c面蓝宝石上生长的GaN薄膜进行高温氧化制成了Ga₂O₃/GaN/蓝宝石模板,进而在模板上利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺进行了β-Ga₂O₃薄膜的同质外延。通过X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜等方法对样品的晶体结构、表面形貌等性质进行测试与分析。结果表明,该方法获得的β-Ga₂O₃薄膜晶体质量受GaN薄膜氧化效果与MOCVD工艺条件等因素影响较大。通过优化实验条件,得到了质量较高的β-Ga₂O₃薄膜。与蓝宝石上或GaN薄膜上异质外延得到的β-Ga₂O₃薄膜相比,薄膜的晶体质量明显提高。通过对比不同样品的晶体质量、表面形貌和制备过程,发现该方法成功地将β-Ga₂O₃薄膜在蓝宝石衬底或GaN/蓝宝石模板上异质外延转化为了Ga...

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【文章目录】：
1 引 言
2 实 验
3 结果与讨论
    3.1 Ga2O3/GaN/蓝宝石模板的AFM照片分析
    3.2 β-Ga2O3薄膜的X射线衍射图分析
    3.3 β-Ga2O3薄膜的场发射扫描电子显微镜照片分析
    3.4 β-Ga2O3薄膜质量对比
4 结 论



本文编号：3820367