保温时间对二维二硫化钼生长的影响

发布时间：2023-06-05 20:41

　　目的研究二维MoS₂薄片的生长规律,为将来过渡金属硫族化合物薄膜的生长提供理论参考与技术经验。方法采用化学气相沉积法(CVD)制备MoS₂薄片,且仅改变薄片生长的保温时间。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)和拉曼光谱分析探究MoS₂薄片的生长规律。结果 MoS₂薄片由最初的形核点逐渐生长为中心有亮点的三角形(形核点MoS₂拉曼光谱特征峰波数差为20.25 cm^-1)进一步生长为完整三角形的MoS₂薄片(拉曼光谱特征峰波数差为18.32 cm^-1)。随着保温时间的延长,薄片之间开始"拼接"成膜,并最终在此膜层上再次形核生长出体相MoS₂薄片。结论二维MoS₂薄片的生长模式随着生长阶段而表现不同,最开始以非二维生长模式产生形核点,而非形核点区域以二维生长模式进行生长。在持续长大阶段,薄片以二维生长的模式为主导。在"拼接"阶段,出现多层MoS₂区域。在第...

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【文章目录】：
1 实验
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3832016