高分子辅助沉积法制备钨掺杂的二氧化钒薄膜

发布时间：2023-08-01 18:10

　　利用高分子辅助沉积法(PAD)制备出钨掺杂二氧化钒(VO₂)薄膜。采用X射线衍射、光电子能谱、扫描电子显微镜、Raman光谱等表征技术对不同含量钨掺杂的VO₂薄膜性能进行了研究。结果表明:利用PAD方法制备的VO₂薄膜质量较好,且钨离子掺杂成功。同时Raman光谱显示,钨掺杂1.0%(摩尔分数)的薄膜在相变过程中出现M2相。电学测试结果显示,钨掺杂的VO₂薄膜相变温度大幅下降,每掺杂0.3%(摩尔分数)的钨离子,相变温度下降10℃,且随着钨掺量的增加,VO₂薄膜的热滞回线宽度减小。

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【文章目录】：
1 实验
    1.1 钒离子与钨离子的高分子前驱液配置
    1.2 二氧化钒薄膜的制备
    1.3 材料表征
2 结果与讨论
    2.1 薄膜结构分析
    2.2 薄膜元素价态分析
    2.3 薄膜形貌分析
    2.4 变温Raman光谱分析
    2.5 薄膜电学性能分析
3 结论



本文编号：3838103