等离子体增强技术在镀铜玻璃衬底上低温制备GaN薄膜

发布时间：2024-01-23 17:10

　　以三甲基镓(TMGa)和氮气(N₂)分别作为镓和氮反应源,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术在镀铜玻璃衬底上沉积出氮化镓(GaN)薄膜,采用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)测试手段,表征分析TMGa流量对GaN薄膜的结晶性能、光学性能及表面形貌特性的影响。结果表明,TMGa流量对所制备的薄膜性能的影响很大, TMGa体积流量为1.4 mL/min时,GaN薄膜具有较强的c轴择优取向和良好的表面光滑度,晶粒较大且均匀,室温PL光谱显示在354 nm处有较高强度的光致发光峰,因带隙调制而产生光学带隙的蓝移。

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图1三甲基镓流量不同时沉积的GaN薄膜的原位反射高能电子衍射图谱

图2三甲基镓流量不同时沉积的GaN薄膜的X射线衍射谱图

图3三甲基镓流量不同时制备的GaN薄膜的原子力显微镜图像

图4三甲基镓体积流量为1.4mL/min时制备的

本文编号：3883046