基于硅藻土多孔陶瓷衬底制备SnO 2 纳米线及其低温H 2 S气敏性能

发布时间：2024-02-01 10:08

　　采用热蒸发法在镀金硅藻土多孔陶瓷衬底表面合成出SnO₂纳米线,通过XRD、SEM、TEM和XPS等检测手段对SnO₂纳米线的微观形貌、晶体结构及元素组成进行分析,探讨硅藻土多孔陶瓷衬底对SnO₂纳米线生长的影响。结果表明:该衬底上所获产物为具有四方相晶体结构的SnO₂纳米线,直径为53～170 nm,长度为10μm～1 mm。该硅藻土陶瓷衬底的多孔特性增加材料的成核位点,有利于Sn蒸气与Au液滴的高概率融合并快速饱合析出,从而促使Sn O₂纳米线具有高产率和高长径比。气敏检测结果表明,在较低工作温度条件下,基于所获SnO₂纳米线的气体传感器对浓度为5×10^-7～1×10^-5(体积分数)的H₂S具有优异的气敏特性,同时具有良好的稳定性及选择性。

【文章页数】：10 页

【文章目录】：
1 实验
    1.1 硅藻土多孔陶瓷衬底的制备
    1.2 Sn O2纳米线的制备
    1.3 样品的结构表征方法
    1.4 样品的气敏测试
2 结果与讨论
    2.1 多孔陶瓷衬底形貌与结构
    2.2 Sn O2纳米线的形貌与结构
    2.3 Sn O2纳米线生长机理
    2.4 气敏特性测试
3 结论



本文编号：3891947