ITO靶材第二相In 4 Sn 3 O 12 的结构及其对靶材性能的影响

发布时间：2024-02-28 04:14

　　以自制的纳米ITO气化粉为原料,采用注浆成型工艺制备了不同SnO₂含量的ITO靶材,并采用不同烧结温度对SnO₂含量为10%(质量分数)的靶材进行了烧结,通过SEM分析了不同SnO₂含量ITO靶材的组织及第二相在靶材中的数量、形貌、分布。结果表明,在1 575℃烧结温度下,随着SnO₂含量的增加,靶材晶粒得到细化,晶界交汇处第二相数量明显增多;当烧结温度提高至1 600℃时,晶界处第二相发生分解,并向母相中转移。采用王水对1 575℃烧结的SnO₂含量为10%的靶材进行腐蚀,提取第二相,并通过EDS、XRD、TEM、TGA分析了第二相的组分、物相结构及热重情况。研究表明,10%SnO₂含量ITO靶材晶界交汇处形成的第二相为六方结构的In₄Sn₃O₁₂,且靶材的氧含量与In₄Sn₃O₁₂有关。通过对不同SnO₂

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【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与分析
    2.1 不同SnO2含量靶材的显微组织
    2.2 第二相及其含量对靶材性能的影响
3 结论



本文编号：3913459