负载Au或Pt的TiO 2 纳米管薄膜的光电性能研究
发布时间:2024-03-23 16:13
为了比较两种贵金属(Au和Pt)在改善TiO2纳米管(TNT)阵列薄膜光电性能时的不同贡献,实验采用后期掺杂法和前期掺杂法分别制备了Au或Pt纳米粒子修饰的TNT阵列薄膜,分别命名为TNT-Au和TNT-Pt、Au/TNT和Pt/TNT。通过测试样品的P-V特性曲线和光催化降解行为,发现无论采用哪种方法,贵金属掺杂的TNT阵列薄膜的光电性能都得到了改善。相对于纯TNT阵列薄膜,TNT-Pt薄膜的光电转换效率最高,约是35倍;TNT-Au薄膜的光催化活性最高,约是2倍。而且还发现,对于光电转换效率,TNT-Pt薄膜约是TNT-Au薄膜的10倍,Pt/TNT薄膜约是Au/TNT薄膜的2.9倍;对于光催化降解率,TNT-Au薄膜约是TNT-Pt薄膜的1.5倍,Au/TNT薄膜约是Pt/TNT薄膜的1.2倍。因此可以总结,Pt纳米粒子比Au纳米粒子更有利于提高TNT阵列薄膜的光电转换效率,而Au纳米粒子比Pt纳米粒子更有利于改善TNT阵列薄膜的光催化活性。
【文章页数】:7 页
【文章目录】:
1 引 言
2 实 验
2.1 后期掺杂法制备样品
2.2 前期掺杂法制备样品
2.3 薄膜的性能测试
3 实验结果与讨论
3.1 P-V特性曲线
3.2 光催化活性测试
3.3 电化学阻抗(EIS)曲线
4 讨 论
5 结 论
本文编号:3936164
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1 引 言
2 实 验
2.1 后期掺杂法制备样品
2.2 前期掺杂法制备样品
2.3 薄膜的性能测试
3 实验结果与讨论
3.1 P-V特性曲线
3.2 光催化活性测试
3.3 电化学阻抗(EIS)曲线
4 讨 论
5 结 论
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