Ag/CdS复合纳米线的增强荧光特性研究

发布时间：2024-03-31 00:24

　　近年来,一维(1D)半导体纳米材料,比如纳米线、纳米棒和纳米管,作为未来纳米器件的基石和纳米尺度下基础物理研究的理想平台,已经成为研究的热点。它们不仅在纳米器件的制造中具有新的物理性质和应用,也被认为是电子器件、光电器件和其他纳米器件的桥梁和功能部件。在这些应用中,半导体纳米材料的带隙是决定器件基本性能的关键物理参数,比如发光二极管和半导体激光器的工作波长。在II-VI族半导体纳米材料中,硫化锌(Zinc Sulphide,ZnS)、硒化锌(Zinc Selenide,ZnSe)、硫化镉(Cadmium Sulfide,CdS)和硒化镉(Cadmium Selenide,CdSe)等在纳米器件和光电器件中都有广泛的应用。本论文主要是研究Ag/CdS复合纳米线的增强荧光特性,具体内容如下:1.阐述论文研究背景。讲述半导体纳米材料和金属-半导体复合结构的光学特性以及应用。CdS纳米线用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)合成;采用X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)表征样品的物相结构和元素组成;用原子力显微镜(Atom Force...

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1-1CdSSe纳米线(a)和纳米带(b)的光谱图

[24]。图1-1显示了常温下的CdSSe纳米线(a)和纳米带(b)的归一化荧光光谱(Photoluminescence,PL)。这两个光谱都有各自的一个发射带，分别位于~620

图1-2分别是低倍率(a)和高倍率(b)下的CdSSe的SEM图

图1-2分别是低倍率(a)和高倍率(b)下的CdSSe的SEM图[24]从图1-2中可以看出，所生长的CdSSe纳米材料有纳米线、纳米带等，明显看到它们表面光滑，生长均匀[24]。1.1.2增强金属-半导体复合纳米线的二次谐波特性

图1-3(a)Ag膜覆盖的CdS纳米线的结构示意图

[9]。图1-3(a)Ag膜覆盖的CdS纳米线的结构示意图。(b)暗场下Ag膜覆盖的CdS纳米线的SHG信号图。(c)SHG转换效率对比图。(d)SHG信号强度和激发光功率关系图。(e)复合结构的SHG信号的偏振特性[9]。1.2半导体纳米材料的光学特性1.2.....

图1-4(a)Al膜覆盖和裸露的ZnS纳米棒的光谱图

可能与纳米材料的尺寸、空间耦合效率低等有关。因此，在现在的科研领域中，提高二次谐波的转换效率势在必行。制备金属-半导体复合纳米结构，利用回廊膜的腔结构，可以有效的提高二次谐波的转换效率[8]。从图1-4看出，Al覆盖的ZnS纳米棒的二次谐波强度是裸露的60倍，它们都是....

本文编号：3943168