ZnSe纳米线阵列/黑硅异质结的制备及其光电性能研究

发布时间：2024-03-31 04:43

　　黑硅是一种表面经过处理的硅材料,与普通硅相比其最突出的优点是超高的吸收率,黑硅在可见光波段的吸收率能达到80%以上。硒化锌(ZnSe)是一种重要的II-VI族宽禁带半导体,室温下禁带宽度为2.7 eV,其在光电探测、光伏以及发光器件方面均具有重要的应用。纳米异质结是纳米光电子器件的基本构成部分,所以构建黑硅和硒化锌异质结并提高其性能具有重要研究意义。此项研究中,我们报道了通过在黑硅上直接生长P型硒化锌纳米线来构建ZnSeNWs/Black Si异质结的方法以及基于此制备的器件在光电探测方面的应用,取得成果主要如下：1、通过金属辅助刻蚀的方法成功刻蚀出了金字塔形和塔锥表面具有硅纳米柱的黑硅,其中硅片表面的金字塔形硅锥大小为5-8μm且排列紧密、形貌均匀统一,硅锥表面的纳米柱能达到300 nm左右,刻蚀的黑硅在可见光波段的吸收率能达到95%以上。2、选取Sb作为P型掺杂源,黑硅作为沉积衬底,通过化学气相沉积(CVD)的方法成功合成了ZnSe:Sb纳米线。获得的纳米线为单晶闪锌矿结构,形貌均匀。3、在生长了ZnSeNWs黑硅的顶部转移一层石墨烯做为电极构建器件,器件显示出了卓越的器件性能。在...

【文章页数】：56 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图１．１典型的太阳能电池内部结构示意图??Ｆｉｇ?１．１?Ｔｈｅ?ｉｎｔｅｒｎａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ａ?ｔｙｐｉｃａｌ?ｓｏｌａｒ?ｃｅｌｌ??

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图１．３飞秒激光器制备黑娃的ＳＥＭ图??Ｆｉｇ?１．３?ＳＥＭ?ｉｍａｇｅ?ｏｆ?拓ｍｔｏｓｅｃｏｎｄ?ｌａｓｅｒ?ｐｉ＊ｅｐａｒｅｄ?ｂｌａｃｋ?ｓｉｌｉｃｏｎ??

图１．３飞秒激光器制备黑娃的ＳＥＭ图??Ｆｉｇ?１．３?ＳＥＭ?ｉｍａｇｅ?ｏｆ?拓ｍｔｏｓｅｃｏｎｄ?ｌａｓｅｒ?ｐｉ＊ｅｐａｒｅｄ?ｂｌａｃｋ?ｓｉｌｉｃｏｎ??多孔黑珪制备法。这种制各方法是将娃片放入刻蚀溶液中，并源。恒压源的阳极提供空穴参与反应，此外恒压源提供的电的空穴可....

图１．４多孔黑娃的化Ｍ图??．ａｅｎ??

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本文编号：3943465