Zn掺杂Cu 2 O纳米薄膜的制备及其光电性能研究

发布时间：2024-04-19 06:16

　　以醋酸钠(NaAc)和醋酸铜[Cu(Ac)₂]作为反应体系,采用电沉积法,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备了Zn掺杂的氧化亚铜(Cu₂O)(Zn/Cu₂O)纳米薄膜,考察了Cu(Ac)₂浓度、沉积温度、沉积时间、沉积电压和溶液pH等制备条件对Cu₂O纳米薄膜光电性能的影响及乙酸锌[Zn(Ac)₂]掺杂量对Zn/Cu₂O纳米薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应液中含0.04mol/L Cu(Ac)₂、0.02mol/L NaAc、0.0064mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.008mol/L Zn(Ac)₂、溶液pH=5.5、沉积温度为50℃时,施加1.4V电压沉积40min,即可制备形貌较好、光电压达0.3054V的Zn/Cu₂O薄膜,掺杂Zn(Ac)₂的Cu₂O纳米薄膜比纯Cu₂O纳米...

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【文章目录】：
1 实验部分
    1.1 试剂与仪器
    1.2 Cu2O、Zn/Cu2O纳米薄膜的制备
    1.3 Cu2O纳米薄膜的表征及光电性能测试
2 结果与讨论
    2.1 Cu2O和Zn/Cu2O纳米薄膜的光电性能研究
        2.1.1 Cu(Ac)2浓度对Cu2O纳米薄膜光电压的影响
        2.1.2 沉积温度对Cu2O纳米薄膜光电压的影响
        2.1.3 沉积时间对Cu2O纳米薄膜光电压的影响
        2.1.4 沉积电压对Cu2O纳米薄膜光电压的影响
        2.1.5 pH对Cu2O纳米薄膜光电压的影响
        2.1.6 Zn(Ac)2掺杂量对Zn/Cu2O纳米薄膜光电压的影响
    2.2 结构分析
        2.2.1 UV-Vis分析
        2.2.2 XRD分析
        2.2.3 SEM分析
        2.2.4 EDS分析
3 结论



本文编号：3958341