CVD法在图形化蓝宝石衬底和硅衬底上生长SnO 2 微/纳米结构及其特性研究

发布时间：2024-04-21 06:34

　　SnO₂是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料,室温下禁带宽度为3.6eV,所以SnO₂是一种有前景的紫外和蓝光材料。此外,由于SnO₂在可见光范围透光性能优越、电阻率较低、化学物理性质稳定的优点,在气体传感器、光电器件及透明导电玻璃等领域有着广泛的应用前景。近年来,由于纳米带,纳米管和纳米线等一维纳米结构在光电子器件上的大量应用,其研究也引起了国内外研究学者的广泛关注。有序SnO₂微/纳米结构的制备以及特性研究是目前科研学者关注的热点和难点。本文使用化学气相沉积(CVD)设备在图形化蓝宝石衬底上制备出不同尺寸、规则排列的有序微米半球形SnO₂及在硅衬底上未采用任何金属催化剂的条件下生长出了较长SnO₂纳米线,并对其形貌、结构和光学等特性进行了研究,具体研究内容如下:(1)利用化学气相沉积(CVD)法,在无催化剂的条件下,通过改变反应源锡粉量在图形化蓝宝石衬底上生长出了不同尺寸、规则排列的有序微米半球形SnO₂。测试结果表明,微米半球形S...

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【学位级别】：硕士

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摘要
Abstract
引言
1 SnO₂的概述
    1.1 SnO₂的基本性质
    1.2 SnO₂的光学特性
    1.3 SnO₂的气敏特性
    1.4 SnO₂中存在的本征缺陷
    1.5 SnO₂材料的应用
    1.6 SnO₂微/纳米材料和器件的研究进展
    1.7 本论文的主要研究内容
2 SnO₂纳米材料的制备方法和表征手段
    2.1 SnO₂纳米材料的制备方法
        2.1.1 化学气相沉积(CVD)
        2.1.2 磁控溅射(Magnetron sputtering)
        2.1.3 脉冲激光沉积(PLD)
        2.1.4 溶胶-凝胶(Sol-Gel)
        2.1.5 分子束外延(Molecular Beam Eptaixy)
        2.1.6 模板法
    2.2 相关表征方法
        2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)
        2.2.2 X射线衍射(XRD)
        2.2.3 光吸收谱(Absorption spectrum)
        2.2.4 光致发光(PL)
3 图形化蓝宝石衬底上有序微米半球形SnO₂的生长和特性研究
    3.1 实验过程
    3.2 结果与讨论
    3.3 结论
4 硅衬底上SnO₂纳米线的制备及研究
    4.1 SnO₂纳米线的制备
    4.2 结构性质
    4.3 光学性质
    4.4 小结
结论
参考文献
攻读硕士期间取得的成果
致谢



本文编号：3960553