氧化物薄膜中电场对离子输运过程的调控及纳米结构的构建
【文章页数】:133 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
图1-1未来计算机的组成方案
未来计算机的组成方案。传统计算架构面临的挑战包括:热,内存瓶颈,摩尔定离子基存储器系统支持存储与逻辑集成,类脑计算机以及高效可重构存储计算的混CMOS:互补型金属氧化物半导体;GPU:图像处理单元;CPU:中央处理单元。[Thefuturecomputingsolution....
图1-2通过离子迁移与电化学反应在物理可重构体系(耦合离子与电子)中原位控制材料与器件的光(上图),电(中图)和磁(下图)特性
图1-2通过离子迁移与电化学反应在物理可重构体系(耦合离子与电子)中原位控制材器件的光(上图),电(中图)和磁(下图)特性。[16]Fig.1-2Schematicillustrationofinsitu,on-demandcontrolofelectro....
图1-3金属电极/绝缘介质层/金属电极体系中纳米通道形成示意图
此时器件处于高阻态(存储状态“1”),此过程称为Reset过程,如图1-3所示。这两个电阻状态能够被电场可逆调控,若将高低电阻态分别作为存储状态“1”和“0”,可实现信息的存储。该类存储器具有优异的存储性能:数据擦写速度快(~100ps)、数据擦写功耗低(0.3-3pJ/....
图1-4STM针尖施加电压诱使Ta离子迁移并发生电化学反应,在STM针尖和TaOx样品之间形成Ta点接触结构
图1-4STM针尖施加电压诱使Ta离子迁移并发生电化学反应,在STM针尖和TaOx样品之间形成Ta点接触结构。[21]Fig.1-4TametallicatomicpointcontactstructurewasformedbetweenS....
本文编号:3973728
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/3973728.html