真空磁场热处理温度对不同厚度的Ni 88 Cu 12 薄膜畴结构及磁性的影响

发布时间：2024-06-13 23:20

　　利用射频磁控共溅射方法,在Si衬底上制备了Ni₈₈Cu₁₂薄膜,并且研究了膜厚以及真空磁场热处理温度对畴结构和磁性的影响. X射线衍射结果表明热处理后的薄膜晶粒长大,扫描电子显微镜结果发现不同热处理温度下薄膜表现出不同的形貌特征.热处理前后的薄膜面内归一化磁滞回线结果显示,经过热处理的Ni₈₈Cu₁₂薄膜条纹畴形成的临界厚度降低,未热处理的Ni₈₈Cu₁₂薄膜在膜厚为210 nm时出现条纹畴结构,而经过300℃热处理的Ni₈₈Cu₁₂薄膜在膜厚为105 nm就出现了条纹畴结构.高频磁谱的结果表明,随着热处理温度的增加, Ni₈₈Cu₁₂薄膜的共振峰会有小范围的移动.

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本文编号：3993801