InAs/GaAs自组织量子点分子纳米材料光学性质研究

发布时间：2025-01-06 05:12

　　半导体量子点纳米材料不但具备很多独特的物理性质,而且在各类光电器件上具有巨大的潜在应用价值,本论文主要利用光致荧光发射谱（PL）和时间分辨荧光谱（TRPL）等光致荧光光谱技术研究InAs系列量子点分子纳米材料的光学性质,具体的工作主要包括如下三个方面:⑴研究了GaAs间隔层厚度对双层结构InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响。低温下30ML、40ML和50ML间隔层的三个样品的光致荧光发射谱均为双峰结构,底层量子点（SQDs）和顶层量子点（TQDs）之间存在有效的载流子转移,而且随着间隔层厚度变大载流子转移效率变低;测量了三个样品TQDs的PL谱峰值位置（Emax）、半峰全宽（FWHM）及积分强度随温度的变化,表明随着GaAs间隔层变大,TQDs和SQDs层间耦合变弱;最后,分析了三个样品的时间衰退行为（TRPL）,间隔层厚度大的样品的载流子隧穿时间有明显延长。⑵研究了Al_0.5Ga_0.5As势垒层对InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响。低温下InAs/GaAs量子点分子的PL谱为双峰结构,两层量子点之间存在有效载流子转移。插入Al<...

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图2.1原子力显微镜（AFM）系统结构示意图

米材料常用的外延制备方法有分子束外延（(MBE）和金技术，半导体纳米材料常用的结构和形貌表征方法有X描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和透射电子显半导体量子点样品是在美国加州大学洛杉矶分校加州纳纳米材料实验室的固态分子束外延设备（VEECOGEN-93形貌和结构采....

图2.2GaSb/GaAs和InAs/GaAs量子点AFM图像

是原子直径，r是原子之间的距离。随着r减小，E变大，当r减小到一定数值量为+E；反之，当r增大到一定数值，能量为-E。这样根据探针和样品在扫描生的位置变化，通过探针的偏移量等间接得到材料表面的形貌图。AFM的扫要包括三种，分别是：接触式（CONTACTMODE....

图2.3光学显微镜与透射电子显微镜成像原理的比较

第2章实验技术和方法2.2透射电子显微镜（TEM）透射电子显微镜（Transmissionelectronmicroscope），简称透射电镜，是一种束为照明源，由电磁透镜聚焦成像的电子光学仪器。1924年，德布罗意计算出电波长；1926年Busch发现轴对称....

图2.4给出了三个样品的TEM横截面图

河北大学工学硕士学位论文了带电粒子与磁场间的相互作用。当具有一定波长的电子束入射到晶体上拉格条件2sinθ=λ其中，d为晶面距离；为电子束波长，特定角度2θ处产生衍射，这个衍射波焦面聚集成一点，形成衍射点，经过电子透镜在荧光屏上显示出来，得到电。高分辨电子显微成像的....

本文编号：4023844