磁控溅射制备Nb掺杂IZO薄膜光电学性能研究

发布时间：2017-06-02 14:27

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【摘要】：通过磁控溅射方法制备一种新型薄膜晶体管有源层材料Nb掺杂的氧化铟锌(IZO)非晶薄膜(a-INZO)。运用XRD、光致发光、Hall测试等检测方法分析INZO薄膜微观结构、缺陷状态以及电学性能。光致发光结果表明,INZO相较于Ga掺杂的IZO(IGZO)具有更低的深能级缺陷密度。Hall效应测试结果表明,通过调节溅射过程中氧气流量可有效控制INZO薄膜载流子浓度,使之适合于制备薄膜晶体管(TFT)器件。INZO薄膜迁移率随载流子浓度的变化规律符合渗流传导模型,载流子浓度较低时,迁移率随载流子浓度增加而增加;载流子浓度较高时,迁移率下降,光学数据的分析表明其带尾态宽度较大,结构更无序。提高溅射基底温度可有效提高迁移率,但对薄膜无序度的改善并不明显。
【作者单位】： 先进成形制造教育部重点实验室清华大学材料学院;
【关键词】： 无机非金属材料 Nb掺杂IZO INZO 光致发光 迁移率 磁控溅射
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： Optical and Electronic Properties of Nb Doped Indium-zincOxide Films Grown by Magnetron SputteringCAO Mingjie ZHAO Ming ZHUANG Daming*GUO Li OUYANG LiangqiSUN Rujun ZHAN Shilu(Key Lab for Advanced Materials Processing Technologies,Ministry of Education,C

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