SiC颗粒化学镀铜工艺研究

发布时间：2017-06-02 20:08

  本文关键词：SiC颗粒化学镀铜工艺研究，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：化学镀铜在生产中应用比较广泛,但是在化学镀铜过程中的活化工艺所需试剂有毒,并且价格较为昂贵。探讨了取消化学镀铜过程中的活化工艺后,其他工艺条件对Si C镀铜效果的影响规律。经实验分析,获得了化学镀铜实验优化工艺参数为:化学镀铜溶液温度为35℃,溶液p H值用氢氧化钠调节至12~13,硫酸铜加入量为12 g/L,甲醛加入量为28 ml/L,酒石酸钾钠加入量为40 g/L,经过一定时间在碳化硅表面得到了良好的铜镀层。通过X射线衍射仪及扫描电镜检测,结果表明:取消了活化工艺后,在碳化硅表面仍然得到了较好的铜包覆层。
【作者单位】： 四川大学锦城学院机械工程系;济南玫德铸造有限公司;
【关键词】： 碳化硅 化学镀铜 活化工艺
【分类号】：TB306
【正文快照】： 吴开霞1前言铝基复合材料具有密度小,质量轻,耐腐蚀性好,价格便宜等优点[1],人们对这类材料研究的兴趣正日益增长。为了改善铝基复合材料的性能,可以通过添加一些添加剂来提高其性能,碳化硅是一种性能优良的非氧化物陶瓷材料,具有高硬度、高耐磨性、耐高温、成本低等优点[2-4]

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本文编号：416391