表面氧化外延法中温制备涂层导体NiO种子层

发布时间：2017-06-05 15:22

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【摘要】：高温超导涂层导体是解决当今能源危机的重要复合材料之一,而经济、有效、节能的制备技术是涂层导体广泛应用的关键.本文采用表面氧化外延法在Ni-wt.5%W基带上普氩下中温氧化制备了立方织构的NiO种子层.通过对氧化温度和氧化时间两个主要因素分析,确定了NiO生长条件为普氩中790℃内保温20mins。与高温(空气中1000℃以上)制备相比,降低了氧化膜制备温度.薄膜厚度大约为650nm.最后在生成的NiO薄膜上化学溶液沉积了YBa2Cu3O7-δ/SmBiO_3复合层,所得样品超导转变温度为89 K,77 K自场下临界电流密度为1.46 MA/cm2(77K,零场).中温表面氧化外延法为涂层导体制备提供了一种实用可行路径.
【作者单位】： 西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室;
【关键词】： 涂层导体 表面氧化外延 NiO种子层
【正文快照】： 1引　　言第二代高温超导材料具有节能、环保的巨大优势.高温涂层导体成了超导材料中研制的焦点之一[1-3].由于YBa2Cu3O7-δ(YBCO)各向异性,在电流输运时存在晶界弱连接问题,需将其制备成织构的薄膜才能克服这个问题.常用的方法是在织构的金属基带上外延生长超导薄膜.含W的Ni

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本文编号：424044