碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管

发布时间：2017-06-10 16:17

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【摘要】：正科技日报北京9月5日电(记者聂翠蓉)据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道,该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管,首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑,将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。碳纳米管管壁只有一个原子厚,是最好的导电材料之一,因而被认为是最有前景的下一
【关键词】： 碳纳米;硅晶体;高速无线;材料学家;展宏图;金属纳米;逻辑电路;导电材料;砷化镓;科技日报;
【分类号】：TB383.1;TN32
【正文快照】： 科技日报北京9月5日电(记者聂翠蓉)据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道,该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管,首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑,将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技

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