射频磁控溅射法制备Ti掺杂ITO薄膜的厚度对膜结构与光电性能的影响

发布时间：2017-06-12 18:07

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【摘要】：利用Ti掺杂ITO靶材,采用单靶磁控溅射法在玻璃基底上制备厚度为50~300 nm的ITO:Ti薄膜。借助X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、可见光分光光度计、霍尔测试系统和四探针电阻测量仪,研究薄膜厚度对薄膜的晶体结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:ITO:Ti薄膜呈现(400)择优取向,随薄膜厚度增加,薄膜的结晶程度增强,晶粒度增大,薄膜更致密。随薄膜厚度增加,薄膜的均方根粗糙度和平均粗糙度以及电阻率都先减小再增加,薄膜厚度为250 nm时,表面粗糙度最小,蒋膜厚度为200 nm时,电阻率最低,为2.1×10-3?·cm。不同厚度的薄膜对可见光区的平均透过率都在89%以上。
【作者单位】： 北京科技大学冶金与生态工程学院;稀有金属特种材料国家重点实验室;高端金属材料特种熔炼与制备北京市重点实验室;
【关键词】： 射频磁控溅射 半导体 ITO Ti薄膜 薄膜厚度 光电性能
【基金】：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(FRF-BD-15-004A)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 2.高端金属材料特种熔炼与制备北京市重点实验室,北京100083;3.稀有金属特种材料国家重点实验室,石嘴山753000)氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)是一种重掺杂、高简并的n型半导体材料,载流子浓度约为1021 cm3,电导率可达104?·cm,其主要成分是In2O3,In2O3具有体心立方结构,密度

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