铝纳米晶的低温导电特性研究

发布时间：2017-07-04 10:23

  本文关键词：铝纳米晶的低温导电特性研究

  更多相关文章： 铝纳米晶 电阻率 声子-电子散射 晶界

【摘要】：采用真空热压技术将电磁感应加热-自悬浮定向流法制备的铝纳米粉末压制成块体样品.通过X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜及X射线能谱分析了铝纳米晶的微观结构,并用四探针法测量了不同温度下(8—300 K)样品的电阻率,研究了铝纳米晶的电阻率(ρ)随温度的变化规律.结果表明:由于晶界(非晶氧化铝)对电子的散射以及晶界声子对电子的散射效应,低温(40 K)下,铝纳米晶的本征电阻率随温度变化关系明显不同于粗晶铝,不仅呈现出T~4变化,还表现出显著的T3变化规律.因晶界等缺陷和非晶氧化铝杂质对电子的散射,铝纳米晶残余电阻率比粗晶铝电阻率大5—6个数量级.
【作者单位】： 西南科技大学材料科学与工程学院;中国工程物理研究院激光聚变研究中心;
【关键词】： 铝纳米晶 电阻率 声子-电子散射 晶界
【分类号】：TB383.1
【正文快照】： 1 引言 纳米材料由于量子尺寸效应、小尺寸效应等,使其具有与粗晶材料明显不同的物理化学性能[1-3],多年来受到了广泛的关注.早在1965年,Andrews[4]研究了铜纳米晶的晶界电阻率,随后对晶界电阻率的研究越来越广泛,如Au[3],Cu[5,6],Ni[7],Gd[8]等.这些研究表明:纳米晶材料的晶，

本文编号：517428