原子层沉积工艺制备催化薄膜厚度对生长碳纳米管阵列的影响

发布时间：2017-07-17 06:20

  本文关键词：原子层沉积工艺制备催化薄膜厚度对生长碳纳米管阵列的影响

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【摘要】：通过原子层沉积(ALD)工艺在硅基底依次沉积氧化铝缓冲层薄膜和氧化铁催化薄膜,然后利用管式炉进行水辅助化学气相沉积(WACVD)生长垂直碳纳米管阵列(VACNTs)。结果表明:ALD工艺制备的氧化铁薄膜经还原气氛热处理可形成碳纳米管阵列生长所需的纳米催化颗粒;氧化铁薄膜厚度与纳米催化颗粒大小以及生长出的碳纳米管阵列的结构密切相关。当氧化铁薄膜厚度为1.2 nm时,生长出的碳纳米管阵列管外径约为10 nm,管壁层数约为5层,阵列高度约为400?m。增大氧化铁薄膜的厚度,生长出的碳纳米管阵列外径和管壁数增加,阵列高度降低。实验还在硅基底侧面观察到了VACNTs,表明ALD工艺可在三维结构上制备催化薄膜用于生长VACNTs。
【作者单位】： 中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机涂层重点实验室;
【关键词】： 原子层沉积 氧化铁 水辅助化学气相沉积 垂直碳纳米管阵列 结构可控 三维样品
【分类号】：TQ127.11;TB383.1
【正文快照】：

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本文编号：552359