类金刚石薄膜在硅基底上的沉积及其热导率

发布时间：2017-08-06 09:01

  本文关键词：类金刚石薄膜在硅基底上的沉积及其热导率

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【摘要】：采用分子动力学方法模拟了碳在晶体硅基底上的沉积过程,并分析计算了所沉积的类金刚石薄膜的面向及法向热导率.对沉积过程的模拟表明,薄膜密度及sp~3杂化类型的碳原子所占比例均随沉积高度的增加而减小,在碳原子以1 e V能量垂直入射的情况下,在硅基底上沉积的薄膜密度约为2.8 g/cm~3,sp~3杂化类型的碳原子所占比例约为22%,均低于碳在金刚石基底上沉积的情况.采用Green-Kubo方法,计算了所沉积类金刚石薄膜的热导率,其面向热导率可以达到相同尺寸规则金刚石晶体的50%左右,并且随着薄膜密度与sp~3杂化类型碳原子所占比例的升高而升高.
【作者单位】： 清华大学工程力学系;中国科学院苏州生物医学工程技术研究所江苏省医用光学重点实验室;
【关键词】： 类金刚石薄膜 化学气相沉积 热导率 分子动力学模拟
【基金】：国家自然科学基金(批准号:51376191,51321002)资助的课题~~
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 1引言大功率白光LED在医疗检测、保密通信、特殊照明等领域有着广阔的应用前景,但芯片散热问题严重制约其发展.为了解决芯片散热问题,有研究者提出在LED芯片的硅基底上通过化学气相沉积法沉积一层类金刚石(diamond like carbon,DLC)薄膜来提高其散热能力[1,2].金刚石、石墨烯

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本文编号：629160